富士通MB89R118C：2K字节FRAM高速RFID芯片

"MB89R118C是富士通公司生产的一款高性能RFID嵌入式芯片，内置2K字节的铁电随机存取存储器（FeRAM），支持高速读写操作。" MB89R118C是一款由富士通半导体记忆解决方案有限公司制造的高性能RFID（无线识别）集成电路，其主要特点是整合了2K字节的FeRAM内存。FeRAM是一种非易失性存储技术，它允许快速且频繁的写入操作，这在许多需要频繁数据更新的应用中非常有用。该芯片被设计为近场通信类型，适用于13.56MHz的频率标准，兼容ISO/IEC15693和ISO/IEC18000-3（模式1）的传输协议。 MB89R118C的内存组织结构为每块8字节，共分为256个块，提供了灵活的数据管理和存储空间。芯片支持高速数据传输，数据速率可达26.48kbps，而在快速命令模式下，数据传输速率可高达52.97kbps，极大地提高了数据交换效率。此外，该芯片还具备1对4的数据编码，采用ASK 10 / 100%调制方式，确保了信号的稳定传输。 在硬件特性方面，MB89R118C具有24 / 96pF的输入电容，适应不同的系统需求。它的写入速度非常快，仅需1.4秒即可完成2K字节的写入，这对于需要实时更新数据的应用场景而言至关重要。芯片还集成了防碰撞功能，能够同时识别处理多达30个标签，提升了在密集标签环境下的性能。 在耐用性方面，MB89R118C表现出极高的读写耐久性，可以承受超过10^12次的读写操作，数据保持时间长达10年（在+85°C的环境下）或30年（在+70°C的环境下）。此外，它还包含了64位唯一标识符（UID）以确保每个芯片的独特性，并且提供了FeRAM内存数据保护机制，确保数据的安全。MB89R118C还支持电子物品监控（EAS）命令，进一步扩展了其在零售和其他领域的应用可能性。 MB89R118C是一款高性能、高可靠性的RFID芯片，适用于需要频繁写入操作和长期数据保存的场合，如物流追踪、资产管理、智能卡等领域。其高效的数据传输和强大的内存保护功能使其在各种应用中展现出卓越的性能。