AP2306CGN-HF-VB SOT23 MOSFET: 低电阻N沟道电源MOSFET特性与应用
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更新于2024-08-03
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"AP2306CGN-HF-VB是一款由VBsemi公司生产的N-Channel沟道SOT23封装的MOSFET晶体管,适用于DC/DC转换器和便携式设备的负载开关应用。这款MOSFET具有低电阻、小封装和符合RoHS标准等特点。其主要参数包括:20V的额定漏源电压(VDS)、最高6A的连续漏极电流(ID)、以及在不同栅源电压下的RDS(ON)值,如24mΩ @ VGS=4.5V和8V。此外,阈值电压(Vth)范围为0.45~1V。"
AP2306CGN-HF-VB是一款N-Channel沟道的MOSFET,采用TrenchFET技术,这意味着它采用了沟槽结构,这种结构有助于减小晶体管的尺寸并降低导通电阻,从而在同等尺寸下提供更好的性能。这款MOSFET是无卤素的,符合IEC61249-2-21标准,确保了环保特性。同时,它已通过100% Rg测试,并符合RoHS指令2002/95/EC的要求。
在应用方面,AP2306CGN-HF-VB常用于DC/DC转换器,这是因为它具有低RDS(ON),在电源管理中能有效降低损耗,提高转换效率。此外,其小巧的SOT23封装使其成为便携式设备的理想选择,例如用作负载开关,控制电子设备的电源通断。
产品参数表中列出了关键数据,如RDS(on)在不同VGS条件下的典型值,例如28mΩ @ VGS=2.5V和50mΩ @ VGS=1.8V,这些数值都是封装限制下的数据。此外,Qg(栅极电荷)为8.8nC,表示开启和关闭MOSFET所需的电荷量,影响开关速度和效率。该器件的连续漏极电流ID在不同温度下的最大值也给出了,如5.1A @ 25°C和4.1A @ 70°C。
绝对最大额定值包括20V的漏源电压VDS,±12V的栅源电压VGS,以及在特定温度下的最大连续漏极电流和脉冲漏极电流。此外,还有结温范围和瞬态热阻等参数,指导安全操作和散热设计。
AP2306CGN-HF-VB是一款高效、小型化的MOSFET,适用于需要低电阻和紧凑封装的电源管理应用。设计者在使用时应考虑其电气特性和散热能力,以确保设备的稳定运行。
2024-03-14 上传
2024-03-25 上传
2024-03-14 上传
2023-06-06 上传
2023-05-17 上传
2023-09-06 上传
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2024-03-25 上传
2024-03-25 上传
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