英飞凌 IPP033N04NF2S MOSFET 技术规格书

"IPP033N04NF2S INFINEON 英飞凌 电子元器件芯片" 本文档是INFINEON英飞凌公司生产的IPP033N04NF2S MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）的最终数据手册。这款MOSFET是一款N沟道、正常电平的器件，适用于广泛的电子应用。以下是其主要特点和关键性能参数的详细说明： 1. **特点**： - 优化用于各种应用 - N通道设计 - 通过100%雪崩测试，确保在过载条件下的可靠性 - 铅-free的引脚电镀，符合RoHS（有害物质限制）标准 - 按照IEC61249-2-21标准，不含卤素，对环境友好 - 通过JEDEC（固态技术协会）标准的产品验证 2. **关键性能参数**： - 最大漏-源电压 (VDS)：40V - 最大漏-源导通电阻 (RDS(on),max)：3.3毫欧 - 连续漏电流 (ID)：113A - 总栅极电荷 (Qoss)：49纳库仑 - 栅极电荷 (QG，0V到10V)：45纳库仑 - 封装类型：PG-TO220-3 - 订单代码： IPP033N04NF2S - 印刷标记：033N04NS 3. **封装与标识**： - 这款MOSFET采用PG-TO220-3封装，这种封装具有三个引脚，其中Drain（漏极）位于Pin2，Tab（散热片）也是漏极，Gate（栅极）位于Pin1，而Source（源极）则在Pin3。 4. **文档内容**： - 描述：简述产品特性 - 最大额定值：包括温度、电压等限制条件 - 热特性：涉及散热和热管理 - 电气特性：详列了器件在不同条件下的电气性能 - 电气特性图表：提供了更直观的性能表现 - 封装轮廓：展示封装的几何尺寸 - 修订历史：记录了手册的更新历程 - 商标和免责声明：包含了相关的知识产权信息和使用声明 IPP033N04NF2S MOSFET适用于需要高效率和低开关损耗的电路设计，如电源转换、电机控制、负载开关等应用。其低RDS(on)意味着在导通状态下的功率损失较小，而Qoss和QG的数值表明快速开关性能，这对高频操作尤其有利。此外，其符合RoHS和无卤素的标准，使它成为环保型电子设计的理想选择。