12P10-VB P沟道MOSFET:TO252封装,100V低阻开关应用
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更新于2024-08-03
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"12P10-VB是一款P沟道的TO252封装MOSFET,适用于电源开关和DC/DC转换器等应用。这款MOSFET具有100V的额定漏源电压(VDS),在不同栅极电压下,其RDS(on)分别为0.250欧姆(VGS=-10V)和0.280欧姆(VGS=-4.5V)。产品符合RoHS指令,且经过100%的Rg和UIS测试。此外,它还具备低栅极电荷(Qg)和低热阻(RthJA)特性,确保高效能和散热性能。"
在电子工程中,MOSFET(金属-氧化物半导体场效应晶体管)是一种广泛应用的半导体器件,以其开关速度快、驱动电流小、控制简单等优点而受到青睐。12P10-VB是P沟道MOSFET,这意味着在正常工作状态下,当栅极电压低于源极电压时,MOSFET将导通。它的主要特性包括:
1. **额定漏源电压**:100V的VDS意味着12P10-VB能够在不超过100V的电压差下安全工作,这为它在电源管理和开关应用中提供了足够的电压裕量。
2. **导通电阻**:RDS(on)是衡量MOSFET导通状态下的电阻,低的RDS(on)意味着在导通时的功率损失较小,效率更高。0.250欧姆和0.280欧姆的RDS(on)值表明该MOSFET在导通时有很好的导电性能。
3. **连续漏极电流**:ID在不同温度下有不同的值,如25°C时为-8.8A,70°C时为-7.1A,这意味着在这些温度下MOSFET可以连续通过的最大电流。
4. **脉冲漏极电流**和**雪崩电流**:IDM和IAS分别表示脉冲条件下的最大电流和允许的雪崩电流,这些值用于确保器件在短时间大电流冲击下的稳定性。
5. **单次雪崩能量**:EAS是设备在特定条件下可承受的单次雪崩能量,16.2mJ表明12P10-VB具有一定的过载保护能力。
6. **最大功率耗散**:PD表示在不同温度下的最大功耗,25°C时为32.1W,这决定了器件能够承受的最大功率。
7. **热特性**:RthJA是结到环境的热阻,50°C/W表示每增加1W的功耗,结温将升高50°C。低的RthJA有助于快速散热,提高器件的可靠性。
8. **RoHS兼容**:符合RoHS指令意味着该器件不含有六价铬、铅、汞等有害物质,符合环保要求。
9. **测试与认证**:100%的Rg和UIS测试确保了器件的可靠性和安全性。
12P10-VB的TO-252封装设计,便于安装在电路板上,并且由于漏极连接到散热片,有助于提高散热效率。在设计电路时,工程师需考虑其电气参数、热特性和应用限制,以确保12P10-VB在实际电路中的稳定工作。
2024-01-06 上传
2024-01-03 上传
2023-03-28 上传
2023-09-19 上传
2023-09-17 上传
2023-06-13 上传
2023-09-05 上传
2023-07-14 上传
2023-07-28 上传
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