英飞凌IPB019N08N5 OptiMOS 5 MOSFET技术规格

"IPB019N08N5 INFINEON 英飞凌芯片 中文版规格书.pdf" 本文档详细介绍了英飞凌科技公司生产的IPB019N08N5 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）的特性、规格和性能参数。这款芯片是一款高性能的N沟道OptiMOS 5功率晶体管，适用于高频率开关和同步整流应用。 1. 产品特点 - 高频切换优化：IPB019N08N5特别设计用于高效高速的开关操作，适合在直流至直流转换器中使用。 - 优越的技术：通过优化技术，该MOSFET在降低导通电阻(RDS(on))的同时，还具备出色的栅极电荷乘以RDS(on)的产品（FOM），这提高了能效。 - 低导通电阻：RDS(on)仅为1.95毫欧，这意味着在导通状态下的电压损失很小，从而提高了电路效率。 - 完全雪崩测试：确保了芯片在过载条件下的安全性和可靠性。 - 环保材料：采用无铅电镀，符合RoHS标准，并且不含卤素，符合IEC61249-2-21的环保要求。 - 工业级认证：根据JEDEC标准进行工业级资格认证，适用于各种目标应用。 2. 关键性能参数 - 最大电压VDS：80伏，这意味着MOSFET可以承受的最大电压为80伏。 - 最大导通电阻RDS(on)，max：1.95毫欧，表明芯片在完全导通时的内部电阻。 - 连续漏电流ID：180安培，表示在稳定状态下，MOSFET可以安全处理的最大电流。 - 栅极电荷Qoss：116纳库仑，衡量从关闭到完全打开状态所需的电荷量。 - 门极总电荷QG(0V..10V)：99纳库仑，表示在0伏到10伏电压范围内，改变门极电压所需电荷量。 3. 封装与标识 - 型号/订购代码：IPB019N08N5 - 封装类型：PG-TO263-7，这是一种7引脚D²-PAK封装，其中第四脚为漏极，第一脚为栅极，第二、三、五、六、七脚为源极。 - 标识码：019N08N5 4. 文档结构 - 描述：对产品的简要介绍 - 最大额定值：列出MOSFET能承受的最大工作条件 - 热特性：涉及MOSFET在不同温度下的行为 - 电气特性：详述MOSFET在正常工作条件下的电气性能 - 电气特性图：图形化展示这些特性的变化 - 相关链接：可能指向更多产品信息或支持资源 此规格书为设计工程师提供了全面的参考数据，以评估IPB019N08N5是否适合其特定应用需求。在实际电路设计中，这些参数和特性是选择合适MOSFET的关键考量因素。