BM2302-VB N-Channel MOSFET参数介绍与应用说明

BM2302-VB N-Channel沟道SOT23 MOSFET晶体管参数介绍与应用说明 BM2302-VB是一款N-Channel沟道SOT23 MOSFET晶体管，由VBSEMI公司生产。下面是该产品的参数介绍和应用说明： 参数介绍 * 额定电压：20V * 额定电流：6A * 静态电阻（RDS（ON））：24mΩ@VGS=4.5V，VGS=8V * 门限电压（Vth）：0.45~1V * 温度范围：-55°C to 150°C 特点 * Halogen-free，符合IEC61249-2-21标准 * TrenchFET®PowerMOSFET结构 * 100% Rg Tested * 符合RoHS Directive 2002/95/EC标准 应用领域 * DC/DC变换器 * 可携带式应用的负载开关 电气特性 * 额定电压（VDS）：20V * 额定电流（ID）：6A * 静态电阻（RDS（ON））：24mΩ@VGS=4.5V，VGS=8V * 门限电压（Vth）：0.45~1V * 电流能力（ID）：6A * 电流pulse能力（IDM）：20A 热设计 * 最大功率耗散（PD）：2.1W @ TC=70°C * 最大工作温度（TJ）：150°C 封装信息 * 封装类型：SOT23 * 引脚排列：Top View * 封装尺寸：2x3mm 注意事项 * 封装有限制，需要注意包装设计 * 表面安装在1"x1" FR4板上 * 工作温度范围：-55°C to 150°C BM2302-VB是一款高性能的N-Channel沟道SOT23 MOSFET晶体管，适用于DC/DC变换器和可携带式应用的负载开关等领域。其优异的电气特性和小巧的封装尺寸使其在现代电子产品设计中具有广泛的应用前景。