DMN100-7-F-VB: 30V SOT23 N-Channel MOSFET with Low RDS(on) for D...

DMN100-7-F-VB是一款由VBSEMI公司生产的高性能N-Channel沟道SOT23封装场效应MOS管。这款器件专为DC/DC转换器等应用设计，具备低阻抗和高电流处理能力，有助于提高效率和稳定性。 该MOSFET的关键特性包括： 1. **封装类型**：采用环保的SOT23封装，符合IEC61249-2-21标准，减少了对环境有害物质，有利于绿色电子产品的制造。 2. **技术工艺**：基于Trench FET®技术的功率MOSFET，这提供了更高的开关速度和更低的栅极到源极漏电流（RDS(on)）。 3. **电气规格**： - 阀值电压（VDS）最高可达30V，确保了在各种工作条件下安全运行。 - 在10V VGS电压下，RDS(on)典型值为30mΩ，提供出色的导通电阻。 - 当VGS为4.5V时，RDS(on)上升至33mΩ，但包装限制了其在某些条件下的性能。 - 最大连续漏极电流（ID）在室温下可达6.5A，随着温度升高有所调整。 - 具有较低的持续源极到漏极二极管电流（IS），确保了良好的隔离性。 4. **热性能**： - 能承受-55°C到150°C的宽范围操作和储存温度。 - 在不同温度下的最大功率损耗限制，如在25°C时，最大功率耗散为1.7W，随着温度升高有所下降。 - 提供了推荐的峰值焊接温度，建议不超过260°C。 5. **可靠性与测试**： - 100%栅极电阻（Rg）测试，保证了组件的稳定性。 - 符合RoHS指令2002/95/EC，满足欧盟环保法规要求。 6. **应用范围**：这款MOSFET适用于需要高效率、小型化解决方案的直流到直流转换器，特别适合集成到紧凑型电路板上，如1"x1"的FR4板。 7. **注意事项**： - 包装限制了电流密度，实际工作电流需根据具体应用场景进行评估。 - 在5秒脉冲模式下，允许的峰值电流（IDM）为25A。 - 在安装过程中应遵循适当的冷却措施，以防止过热。 总结来说，DMN100-7-F-VB是一款性能出色、小型化的N-Channel MOSFET，对于需要高效能、低损耗的电子系统设计师来说，它是一个理想的选择。在选择和使用时，务必考虑其电气参数、热管理需求以及工作环境条件。