"CES2331-VB是一款P沟道的SOT23封装MOS场效应晶体管,常用于移动计算设备如负载开关、笔记本适配器开关及DC/DC转换器等应用。这款器件采用TrenchFET技术,具有100%栅极电阻测试,并提供详细的电气参数和绝对最大额定值。"
详细说明:
CES2331-VB是一款高性能的P沟道金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET),采用紧凑的SOT23封装,适合在空间有限的应用中使用。其主要特点包括使用了TrenchFET技术,这种技术通过在晶体管内部构建沟槽结构,显著降低了导通电阻,从而提高了效率和热性能。
该MOSFET的关键特性包括:
1. **TrenchFET Power MOSFET**:这种技术使得器件在保持小体积的同时,具备较低的导通电阻,有助于减少功耗和提高电源转换效率。
2. **100% Rg测试**:确保每个器件的栅极电阻经过全面测试,保证了产品的质量和一致性,这对于开关应用尤其重要。
3. **典型应用**:CES2331-VB适用于移动计算设备,例如笔记本电脑的负载开关、适配器开关,以及DC/DC转换器等电源管理领域,这些应用对功率转换效率和体积有较高要求。
在电气参数方面,CES2331-VB的主要参数包括:
- **耐压(VDS)**:额定的漏源电压为-30V,意味着它能在-30V的电压下安全工作。
- **导通电阻(RDS(on))**:在不同栅极电压下,导通电阻变化,例如在VGS=-10V时,典型值为0.046Ω,随着VGS减小,RDS(on)略有增加。
- **栅极电荷(Qg)**:表示开启或关闭晶体管所需的总电荷,典型值在11.4nC到18nC之间,影响开关速度。
- **持续漏源电流(ID)**:根据温度不同,最大连续漏源电流在-5.6A到-5.4A之间变化,脉冲电流IDM可达到-18A。
此外,该器件还有严格的绝对最大额定值,如:
- **漏源电压(VDS)** 和 **栅源电压(VGS)** 的最大值分别为-30V和+20V。
- **连续漏源电流(ID)** 随着温度升高而降低,最大值在25°C时为-5.6A,70°C时为-4.3A。
- **最大功率损耗(PD)** 同样随温度变化,25°C时为2.5W,70°C时降至1.25W。
热特性方面,提供了典型的和最大值的热阻,帮助用户评估器件在不同环境下的散热能力。
CES2331-VB是一款高性能、小型化的P沟道MOSFET,适用于需要高效能和低功耗的电子设备中。