SOT23封装30V N-Channel MOSFET FDN361BN-NL-VB：高效开关特性

本文档介绍了一款名为FDN361BN-NL-VB的场效应MOS管，它采用SOT23封装，专为高性能电子应用设计。该N-Channel MOSFET具有以下主要特性： 1. **封装类型**：SOT23封装，这是一种小型化的表面安装技术（Surface Mount Technology, SMT）封装，适合于紧凑型电路板布局。 2. **电压等级**：该MOSFET支持30V的Drain-Source (D-S)电压，确保在高压操作下仍能保持良好的性能。 3. **电流能力**： - 连续导通电流（DC Current）：在VGS = 10V时，最大可达6.5A，而在70°C时，降为6A。 - 脉冲电流限制（Pulsed Drain Current, IDM）：在25°C条件下，允许的最大脉冲电流为25A。 - 源极-漏极反向电流（Reverse Continuously Drain Current, IS）：典型值在25°C下为1.4A，但在较低温度下有所降低。 4. **热性能**： - 最大功率损耗：在25°C下，连续最大功率为1.7W，而在70°C时降为1.1W。 - 热阻抗：文档提供了不同条件下的热阻参数，例如从25°C到70°C的热时间常数（Thermal Resistance, Rθja）数据。 5. **安全限制与工作范围**： - 操作和存储温度范围：从-55°C到150°C，确保在极端环境下的可靠工作。 - 焊接推荐温度：峰值温度建议不超过260°C，以避免过热损坏。 6. **符合标准**： - 非卤素符合IEC 61249-2-21标准。 - 符合RoHS指令2002/95/EC，关注环保要求。 这款FDN361BN-NL-VB MOSFET适用于各种应用，特别是直流-直流转换器（DC/DC Converter），其高性能和小型封装使其成为现代电子系统中的理想选择。在使用时，请确保考虑到温度、电流和散热管理，以确保设备的长期稳定性和可靠性。