英飞凌OptiMOS®2 BSL202SN N沟道晶体管技术规格

"BSL202SN是一款由英飞凌科技公司生产的OptiMOS®2系列的小信号N沟道增强型 MOSFET 芯片。这款芯片符合汽车电子行业的高质量标准，适用于各种电子应用。" BSL202SN是英飞凌的OptiMOS®2系列的一款产品，它是一款N沟道增强模式的MOSFET晶体管，设计用于在低电压下高效工作。其主要特点包括： 1. **超级逻辑级（2.5V额定）**：这意味着BSL202SN可以在非常低的栅极电压（2.5V）下正常工作，适合于低电压系统。 2. **雪崩评级**：该芯片能够承受雪崩电流，确保在过载条件下的稳定性，增加了其在高冲击环境下的可靠性。 3. **dv/dt评级**：BSL202SN具有高的dv/dt耐受能力，能承受快速的电压变化，适合高速开关应用。 4. **无铅电镀，符合RoHS标准**：采用无铅电镀工艺，符合欧盟的RoHS指令，不含有害物质，对环境友好。 5. **AEC-Q101资格认证**：BSL202SN已通过汽车电子委员会的AEC-Q101质量标准认证，表明其适合在汽车电子设备中使用。 6. **无卤素**：根据IEC61249-2-21标准，BSL202SN不含卤素，进一步提高了其环保性。 在技术规格方面，BSL202SN的最大额定值如下： - **连续漏电流（ID）**：在25°C时最大为7.5A，在70°C时为6.0A。 - **脉冲漏电流（ID,pulse）**：在25°C时，脉冲漏电流可达到30A。 - **单脉冲雪崩能量（EAS）**：在ID=7.5A，RGS=25W条件下，能承受30mJ的雪崩能量。 - **反向二极管dv/dt**：在特定条件下，最大反向二极管dv/dt为6kV/µs。 - **栅源电压（VGS）**：最高可承受±12V的栅源电压。 - **最大功率损耗（Ptot）**：在25°C时，最大功率损耗为2W。 - **操作和储存温度范围**：-55°C至150°C。 - **ESD等级**：按照JESD22-A114-HBM标准，BSL202SN的ESD保护等级为0V至250V。 - **焊锡温度**：推荐的最大焊锡温度为260°C。 - **封装类型**：采用TSOP-6封装。 性能参数方面，BSL202SN在不同栅源电压下的最大漏源电压（VDS）和漏极电阻（RDS(on)）分别为： - **VDS**：最大20V。 - **RDS(on),max**：在VGS=4.5V时，RDS(on)最大为22mΩ；在VGS=2.5V时，RDS(on)最大为36mΩ。 此外，BSL202SN以每卷3000片的规格进行带状包装，标记为"H6327"，并具有无铅标识（sPD），表示其符合无铅的要求。 BSL202SN是一款高性能、环保且适用于汽车电子领域的N沟道MOSFET，具备出色的电气特性和可靠的机械特性。