ELM33402CA-VB N-Channel MOSFET: 特性、应用与关键参数

"ELM33402CA-VB是一款由VB Semiconductor推出的N-Channel沟道SOT23封装的MOSFET晶体管。这款器件具有低电阻、高效能的特点，适用于DC/DC转换器和便携式应用的负载开关。其主要特性包括无卤素设计，符合RoHS指令，以及采用TrenchFET技术的功率MOSFET结构。" ELM33402CA-VB的核心参数如下： - 工作电压：最大 Drain-Source 电压 (VDS) 为20V，能够承受较高的工作电压。 - 额定电流：在25°C时，连续 Drain 电流 (ID) 可达6A，但随着温度升高，电流会有所下降。 - 开关电阻：在VGS = 4.5V时，RDS(on) 仅为28mΩ，而在VGS = 8V时，RDS(on) 为42mΩ，这表示在低电压下仍能保持良好的导通性能。 - 门极电荷 (Qg)：在不同VGS条件下，典型值分别为8.8nC（VGS = 2.5V）和5.6nC（VGS = 1.8V），表明开关速度快且能量损耗小。 - 尺寸封装：采用SOT23封装，适合于紧凑型电路设计。 应用领域： - DC/DC转换器：由于其低RDS(on) 和小巧的封装，适合作为电源转换中的开关元件。 - 便携式应用的负载开关：适用于对尺寸和效率有较高要求的移动设备。 绝对最大额定值： - Gate-Source 电压 (VGS) 限制在±12V，确保了器件的安全操作范围。 - 在150°C结温下，连续Drain电流 ID 为6A，70°C时为5.1A，随着温度上升，电流承载能力会降低。 - 脉冲Drain电流 IDM 为20A，表明短时间高电流脉冲下仍能承受。 - 持续源-漏极二极管电流 IS 为1.75A，在不同温度下，这个值也会有所变化。 - 最大功耗 PD 在25°C时为2.1W，70°C时为1.3W，需要考虑散热设计以防止过热。 此外，该器件还遵循RoHS指令，无卤素，确保了环保和安全。在安装和焊接时，需遵循推荐的温度和时间，以保证器件的可靠性和使用寿命。ELM33402CA-VB是一款适用于高效率、小型化电子产品的高性能N沟道MOSFET。