SiGe虚拟衬底上应变全栅MOSFET的紧凑阈值电压模型研究

本文献主要探讨了在SiGe虚拟衬底上制造的应变全栅MOSFET（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor）的紧凑型阈值电压模型。SiGe是一种化合物半导体材料，其掺杂性使得电子和空穴迁移率可以被有效调控，这在高性能电子器件中具有重要意义，特别是在微电子领域。应变全栅MOSFET的设计利用了应变效应来增强载流子的迁移率，从而提高器件的性能。 论文标题"Compact analytical threshold voltage model of strained gate-all-around MOSFET fabricated on Si1-xGex virtual substrate"表明作者针对这种特殊的器件结构进行了深入的研究。这里的"compact analytical model"指的是一个简化的、易于解析的理论模型，它能够精确地描述在Si1-xGex（硅-锗）虚拟衬底上制备的全栅MOSFET的阈值电压行为。阈值电压是衡量MOSFET开启和关闭状态之间电荷控制能力的关键参数，它直接影响到晶体管的开关速度和功耗。 研究内容包括对MOSFET的物理机制进行数学建模，可能考虑了应变对沟道长度 modulation（LDMOS）效应的影响，以及SiGe材料特性对阈值电压的影响，如能带工程和杂质浓度分布。通过紧凑的分析方法，作者可能试图简化复杂的计算过程，以便于电路设计者快速评估和优化这些新型器件的性能。 文章发表在《IEICE Transactions》（IEICETRANS.??,VOL.Exx–??,NO.xxXXXX200x）的E99-C卷第2期，预计将在2016年2月出版。这标志着研究成果已经过同行评审并准备面向学术界和工业界公开。作者包括Yefei ZHANG、Zunchao LI（共同第一作者）、Chuang WANG（共同第一作者）以及Feng LIANG（非会员），他们共同为理解并改进这种基于SiGe虚拟衬底的应变全栅MOSFET的性能做出了贡献。 这篇论文为设计和优化高性能的SiGe全栅MOSFET提供了理论支持，对于硅基半导体技术的未来发展具有重要的实践价值。研究者和工程师们可以参考这一模型，以提升晶体管在微电子集成系统中的效率和稳定性。