AM4825P-T1-PF-VB：SOP8封装P沟道MOSFET详细参数与应用

"AM4825P-T1-PF-VB是一款由VB Semiconductor推出的P-Channel沟道SOP8封装的MOSFET晶体管，适用于笔记本电脑、台式机等设备的负载开关应用。该器件采用TrenchFET®技术，具有低电阻、快速开关和环保无卤素等特点。其主要参数包括：最大漏源电压VDS为-30V，最大连续漏极电流ID在25°C时可达-11.6A，在70°C时降至-10.5A，栅源电压VGS为±20V，开启电压Vth为-1.42V，静态导通电阻RDS(ON)在VGS=10V时为10mΩ，在VGS=20V时略高。此外，Qg典型值为22nC，峰值脉冲漏极电流和雪崩能量也有明确限制，确保了器件在不同工作条件下的稳定性与安全性。" AM4825P-T1-PF-VB是一款高性能的P-Channel沟道MOSFET，其设计采用了先进的TrenchFET®技术，这种技术使得晶体管能在较小的封装内实现更低的导通电阻，从而降低功耗并提高效率。在这款器件中，RDS(ON)非常低，这意味着在开关操作时，它将产生较少的功率损失，这对于电源管理和其他高效率应用至关重要。 器件的最大漏源电压VDS为-30V，这意味着它可以承受高达-30V的电压差，这在许多电子系统中是常见的工作电压范围。同时，它的最大连续漏极电流ID在室温下可达到-11.6A，但在高温环境下（如70°C）会有所下降，这表明其散热性能需要适当考虑。栅源电压VGS的范围为±20V，表明它能适应宽泛的控制信号范围。 在应用方面，AM4825P-T1-PF-VB特别适合用作负载开关，如在笔记本电脑和台式机中，用于控制电流的通断。其100%的Rg和UIS测试保证了器件的可靠性和稳定性。此外，该器件符合IEC61249-2-21标准，不含卤素，满足现代电子产品对环保的要求。 在安全参数方面，AM4825P-T1-PF-VB的最大脉冲漏极电流和单脉冲雪崩能量都有明确规定，以防止过载或过热导致的损坏。最大功率耗散(PD)随温度变化，确保了器件在不同环境温度下的正常运行。结温范围从-55°C到150°C，涵盖了从低温到高温的各种应用场景。 AM4825P-T1-PF-VB是一款性能优异、可靠性高的P-Channel MOSFET，适用于需要高效、低损耗开关操作的电子设计，特别是那些重视节能和可靠性的应用。