"AM4417P-T1-PF-VB是一种P沟道的MOSFET,采用SOP8封装,适用于负载开关等应用。它具有TrenchFET技术,100%通过UIST测试。在不同条件下,其RDS(on)、ID和Qg等关键参数有所不同。"
AM4417P-T1-PF-VB是一款由Infineon Technologies或类似半导体制造商生产的P沟道金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET),主要用于电源管理中的负载开关应用。该器件的关键特性是采用了TrenchFET技术,这是一种先进的制造工艺,通过在硅片上蚀刻出深而窄的沟槽结构,以降低导通电阻并提高功率密度,从而实现更高的效率和更低的热耗。
这款MOSFET的最大额定 Drain-Source 电压(VDS)为-60V,这意味着它可以承受的最大反向电压为60伏特。同时,门极-源极电压(VGS)的允许范围是±20V。在特定条件下,如VGS = -10V时,它的开启电阻(RDS(on))低至0.0195欧姆,而在VGS = -4.5V时,RDS(on)为0.0250欧姆,这表明它在低电压下仍能保持良好的导通性能。
连续漏极电流(ID)在不同温度下有所不同:在25°C时为-10A,70°C时为-9A。此外,脉冲漏极电流(IDM)可达到-50A,这意味着它能够处理短期的大电流脉冲。对于瞬态过载情况,峰值雪崩电流(IAS)为-45A,单脉冲雪崩能量(EAS)为101毫焦耳,确保了器件在过载条件下的安全性。
AM4417P-T1-PF-VB的连续源-漏极二极管电流(IS)在25°C时为69A,反映了其内置二极管的性能。最大功率耗散在25°C时为104.2W,而70°C时降至66.7W。操作和存储的温度范围很宽,从-55°C到150°C。
在热性能方面,器件具有良好的散热能力。最大结-壳热阻(RthJC)典型值为0.98°C/W,最大值为1.2°C/W,而最大结-环境热阻(RthJA)分别为33°C/W和40°C/W。这些参数对于评估MOSFET在实际应用中的散热能力至关重要,确保了器件在高功率应用中的稳定运行。
AM4417P-T1-PF-VB是一款高性能的P沟道MOSFET,适用于需要低RDS(on)、高耐压和良好热管理能力的电源管理电路,如电池管理系统、DC-DC转换器、马达驱动等。其SOP8封装使其易于集成到各种电路板设计中,且TrenchFET技术的采用确保了在小型封装中提供出色的电气性能。