AM4417P-T1-PF-VB：TrenchFET P沟道60V MOSFET

"AM4417P-T1-PF-VB是一种P沟道的MOSFET，采用SOP8封装，适用于负载开关等应用。它具有TrenchFET技术，100%通过UIST测试。在不同条件下，其RDS(on)、ID和Qg等关键参数有所不同。" AM4417P-T1-PF-VB是一款由Infineon Technologies或类似半导体制造商生产的P沟道金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET），主要用于电源管理中的负载开关应用。该器件的关键特性是采用了TrenchFET技术，这是一种先进的制造工艺，通过在硅片上蚀刻出深而窄的沟槽结构，以降低导通电阻并提高功率密度，从而实现更高的效率和更低的热耗。 这款MOSFET的最大额定 Drain-Source 电压（VDS）为-60V，这意味着它可以承受的最大反向电压为60伏特。同时，门极-源极电压（VGS）的允许范围是±20V。在特定条件下，如VGS = -10V时，它的开启电阻（RDS(on)）低至0.0195欧姆，而在VGS = -4.5V时，RDS(on)为0.0250欧姆，这表明它在低电压下仍能保持良好的导通性能。 连续漏极电流（ID）在不同温度下有所不同：在25°C时为-10A，70°C时为-9A。此外，脉冲漏极电流（IDM）可达到-50A，这意味着它能够处理短期的大电流脉冲。对于瞬态过载情况，峰值雪崩电流（IAS）为-45A，单脉冲雪崩能量（EAS）为101毫焦耳，确保了器件在过载条件下的安全性。 AM4417P-T1-PF-VB的连续源-漏极二极管电流（IS）在25°C时为69A，反映了其内置二极管的性能。最大功率耗散在25°C时为104.2W，而70°C时降至66.7W。操作和存储的温度范围很宽，从-55°C到150°C。 在热性能方面，器件具有良好的散热能力。最大结-壳热阻（RthJC）典型值为0.98°C/W，最大值为1.2°C/W，而最大结-环境热阻（RthJA）分别为33°C/W和40°C/W。这些参数对于评估MOSFET在实际应用中的散热能力至关重要，确保了器件在高功率应用中的稳定运行。 AM4417P-T1-PF-VB是一款高性能的P沟道MOSFET，适用于需要低RDS(on)、高耐压和良好热管理能力的电源管理电路，如电池管理系统、DC-DC转换器、马达驱动等。其SOP8封装使其易于集成到各种电路板设计中，且TrenchFET技术的采用确保了在小型封装中提供出色的电气性能。