AM20N15-250D-T1-PF-VB：高性能N沟道MOSFET技术规格

"AM20N15-250D-T1-PF-VB是一种N沟道MOSFET，采用TO252封装，适用于开关应用，具有极低的开关损失、符合RoHS标准，并经过了严格的测试，确保其性能稳定可靠。" AM20N15-250D-T1-PF-VB是一款高性能的N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET），其主要特点是低栅极电荷（Qgd）设计，这使得它在开关操作时能有效降低损耗，提高电路效率。这款MOSFET的额定漏源电压（VDS）为150V，这意味着它能够承受高达150伏的电压差。在25摄氏度的温度条件下，当栅极电压（VGS）为10V时，其漏源导通电阻（RDS(on)）仅为0.074欧姆，而在VGS为8V时，RDS(on)是0.077欧姆，这些数值表明了其在低导通状态下的优良性能。 此外，AM20N15-250D-T1-PF-VB通过了100%的栅极电阻（Rg）测试和100%的雪崩测试，确保了器件的耐用性和可靠性。该产品遵循IEC61249-2-21标准，定义为无卤素，符合RoHS指令2002/95/EC，意味着它不含铅和其他有害物质，符合环保要求。在实际应用中，这款MOSFET常作为主开关元件，广泛应用于电源管理、电机控制、DC-DC转换器等场景。 在绝对最大额定值方面，AM20N15-250D-T1-PF-VB的连续漏源电流（ID）在不同温度下有所不同，例如，在25摄氏度时，ID可达25.4A，而70摄氏度时则下降到23.1A。脉冲漏源电流（IDM）为50A，持续源漏二极管电流（IS）在25摄氏度下为4.5A，单脉冲雪崩电流（IAS）可达到20A，允许的单脉冲雪崩能量（EAS）为20毫焦。最大功率耗散（PD）在不同温度下也有变化，25摄氏度时为5.9W，70摄氏度时则降至3.8W。操作结点和存储温度范围宽泛，从-50摄氏度至150摄氏度，确保了其在各种环境条件下的稳定性。 AM20N15-250D-T1-PF-VB是一款高性能、低损耗且符合环保要求的N沟道MOSFET，适用于需要高效开关性能的电源和驱动电路。其优秀的电气特性，如低RDS(on)和小的Qgd，以及严格的测试标准，使其成为电子设计者在高功率应用中的理想选择。