"AM20N15-250D-T1-PF-VB是一种N沟道MOSFET,采用TO252封装,适用于开关应用,具有极低的开关损失、符合RoHS标准,并经过了严格的测试,确保其性能稳定可靠。"
AM20N15-250D-T1-PF-VB是一款高性能的N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET),其主要特点是低栅极电荷(Qgd)设计,这使得它在开关操作时能有效降低损耗,提高电路效率。这款MOSFET的额定漏源电压(VDS)为150V,这意味着它能够承受高达150伏的电压差。在25摄氏度的温度条件下,当栅极电压(VGS)为10V时,其漏源导通电阻(RDS(on))仅为0.074欧姆,而在VGS为8V时,RDS(on)是0.077欧姆,这些数值表明了其在低导通状态下的优良性能。
此外,AM20N15-250D-T1-PF-VB通过了100%的栅极电阻(Rg)测试和100%的雪崩测试,确保了器件的耐用性和可靠性。该产品遵循IEC61249-2-21标准,定义为无卤素,符合RoHS指令2002/95/EC,意味着它不含铅和其他有害物质,符合环保要求。在实际应用中,这款MOSFET常作为主开关元件,广泛应用于电源管理、电机控制、DC-DC转换器等场景。
在绝对最大额定值方面,AM20N15-250D-T1-PF-VB的连续漏源电流(ID)在不同温度下有所不同,例如,在25摄氏度时,ID可达25.4A,而70摄氏度时则下降到23.1A。脉冲漏源电流(IDM)为50A,持续源漏二极管电流(IS)在25摄氏度下为4.5A,单脉冲雪崩电流(IAS)可达到20A,允许的单脉冲雪崩能量(EAS)为20毫焦。最大功率耗散(PD)在不同温度下也有变化,25摄氏度时为5.9W,70摄氏度时则降至3.8W。操作结点和存储温度范围宽泛,从-50摄氏度至150摄氏度,确保了其在各种环境条件下的稳定性。
AM20N15-250D-T1-PF-VB是一款高性能、低损耗且符合环保要求的N沟道MOSFET,适用于需要高效开关性能的电源和驱动电路。其优秀的电气特性,如低RDS(on)和小的Qgd,以及严格的测试标准,使其成为电子设计者在高功率应用中的理想选择。