DMP2066LSD-VB: 2个-30V P-Channel MOSFET的规格与应用介绍

DMP2066LSD-VB是一款由VBSEMICONDUCTOR公司生产的双通道P-Channel沟道MOSFET，特别适合在-30V的电压差（VDS）下工作。这款器件采用先进的TrenchFET技术，提供了出色的功率管理和效率。它具有以下关键特性： 1. 环保设计：DMP2066LSD-VB采用无卤素材料，符合现代电子设备对环保的要求。 2. 耐高温性能：该晶体管通过了100% UISTested测试，确保在极端条件下仍能稳定运行，例如连续 Drain-Source Voltage (VDS) 高达-30V，而 Gate-Source Voltage (VGS) 可在±20V范围内调节。 3. 电流能力： - 在VGS = 10V时，RDS(ON)为35mΩ，表明在低电压下有较高的开关速度和低导通电阻。 - 当VGS = -4.5V时，ID限制为-6.3A，显示了在不同工作电压下的电流控制能力。 - Pulsed Drain Current (DM) 在不同温度下有限制，确保了器件的脉冲安全。 4. 保护功能：包括Continuous Drain Current (ID) 和 Continuous Source-Drain Diode Current (IS)，以及单脉冲 Avalanche Current (AS) 以防过载。 5. 散热管理：最大功率损耗（PD）在不同温度下有所不同，如25°C时为5W，70°C时为3.2W，确保了合理的热管理。 6. 温度范围：DMP2066LSD-VB的工作和存储温度范围为-55°C至150°C，满足各种环境应用需求。 7. 封装规格：表面安装在1"x1" FR4板上，确保小型化和高效集成。 8. 热阻：提到了Ma的典型值，这是热阻的一种衡量，用于评估晶体管内部热量传递到封装外部的性能。 这款MOSFET适用于负载开关等应用场合，能够提供高效、稳定的电流控制和低功耗解决方案。在选择或设计电路时，应考虑这些参数，以确保设备的正常运行和性能优化。