"FDN336P-NL-VB是一款由VBsemi生产的P沟道MOSFET,采用SOT23封装。该MOSFET具有-20V的额定Drain-Source电压(VDS),在不同栅源电压(VGS)下,RDS(ON)分别为57mΩ(VGS=-4.5V)和83mΩ(VGS=-2.5V)。阈值电压为-0.81V(Vth),并且具备低栅极电荷(Qg),在不同条件下为10nC至61nC。该器件适用于表面贴装,并有特定的功率和温度限制。" FDN336P-NL-VB是一款高性能的P沟道金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET),设计用于各种电路应用,如电源管理、开关电路以及信号控制。其主要特性包括: 1. **电压和电流规格**:FDN336P-NL-VB的最大Drain-Source电压(VDS)为-20V,这意味着它能够承受最大20伏的电压差。连续Drain电流(ID)在不同温度下有不同的最大值,例如,在25°C时,最大ID为-4.5A。 2. **电阻性能**:RDS(ON)是衡量MOSFET导通状态下的内阻的关键参数。较低的RDS(ON)意味着更低的导通损耗。FDN336P-NL-VB在4.5V和2.5V的VGS下,RDS(ON)分别低至57mΩ和83mΩ,这有利于高效能和低功耗的设计。 3. **栅极电荷**:Qg是评估MOSFET开关速度的重要参数。这款MOSFET的栅极电荷低至10nC到61nC,表明其开关速度快,适合高速切换应用。 4. **热性能**:最大结温范围为-55°C至150°C,允许其在宽温范围内工作。同时,最大结壳热阻(RthJF)和最大结温至环境热阻(RthJA)分别为40°C/W和75°C/W,这些参数决定了MOSFET在散热条件下的稳定工作能力。 5. **封装与尺寸**:采用SOT23封装,该MOSFET适合于小型化和高密度的电路板布局,便于集成到各种电子设备中。 6. **安全规范**:MOSFET的最大功率耗散(PD)在不同温度下有所不同,最高为2.5W。此外,其脉冲Drain电流(IDM)可达到-18A,而连续源漏二极管电流(IS)则为-2.1A。 7. **环保标准**:FDN336P-NL-VB符合IEC61249-2-21的无卤素标准,满足现代电子产品对环保的要求。 FDN336P-NL-VB是一款高性能的P沟道MOSFET,适用于需要低电阻、快速开关和紧凑封装的电路设计。在电源管理、逻辑控制、电池保护等应用中,这款MOSFET都能发挥出色性能。
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