模拟电子技术基础第四版习题解析

"模拟电子技术基础 第四版 童诗白 高等教育出版社" 在模拟电子技术中，半导体器件是核心组成部分，本资源主要针对童诗白编著的《模拟电子技术基础》第四版的习题进行了解答。其中涵盖了关于半导体基础知识、PN结、二极管、晶体管、场效应管以及稳压管等多个关键知识点。 1. **半导体器件**：半导体分为N型和P型，N型半导体中多子为自由电子，P型半导体中多子为空穴。通过掺杂不同类型的杂质元素，可以改变半导体类型。例如，N型半导体掺入三价元素可以转变为P型半导体。 2. **PN结**：PN结在无光照、无外加电压时，结电流为零。当PN结受到正向电压时，空间电荷区变窄，允许电流通过；反向电压则使空间电荷区变宽，阻止电流流动。 3. **二极管**：二极管的电流方程通常为Shockley方程，即I = I_S * (e^(V_D/V_T) - 1)，其中I是二极管电流，V_D是二极管两端电压，I_S是饱和电流，V_T是热电压。稳压管工作在反向击穿区，以保持稳定的电压输出。 4. **晶体管**：晶体管在放大区工作时，发射结正偏，集电结反偏，这样可以放大基极电流对集电极电流的影响。在题目中提到了不同电压条件下的晶体管行为，以及如何判断是否处于放大状态。 5. **场效应管**：结型场效应管（JFET）的栅-源电压控制耗尽层的宽度，当栅-源间耗尽层承受反向电压时，RGS（栅源电阻）较大。对于MOS管，耗尽型N沟道MOS管在UGS大于零时，输入电阻不会明显变小。 6. **稳压电路**：稳压管用于维持输出电压的稳定，题目中给出了稳压管的稳压值和最小稳定电流，通过计算可以确定稳压电路的输出电压。 7. **晶体管特性曲线**：输出特性曲线展示了集电极电流与集电极-发射极电压的关系。过损耗区是指晶体管工作在超出最大耗散功率的区域，这会导致器件损坏。题目中通过计算和连线确定了过损耗区。 8. **晶体管放大电路**：分析题目中的晶体管放大电路，可以通过基极电阻Rb计算基极电流，进而得到集电极电流和输出电压。当晶体管临界饱和时，需要调整Rb以满足条件。 这些知识点构成了模拟电子技术的基础，对理解和应用半导体器件、放大电路以及电源稳压等方面至关重要。通过解决这些习题，学习者能深入理解并掌握这些概念，为后续的电子技术学习打下坚实基础。