FDD8647L-VB：N沟道100%Rg&UIST测试的TrenchFET功率MOSFET

"FDD8647L-VB是一款N沟道TrenchFET功率MOSFET，采用TO252封装，适用于同步整流和电源供应等应用。其主要特点包括100%Rg和UIS测试，确保了可靠性和安全性。该器件的关键参数包括：在VGS=10V时的RDS(on)为0.0050Ω，Qg典型值为80nC，在VGS=4.5V时的RDS(on)为0.0065Ω，最大连续漏源电流ID在25°C时为85A，在70°C时为70A。绝对最大额定值方面，漏源电压VDS为4V，栅源电压VGS为±25V，脉冲漏电流IDM为250A，单脉冲雪崩能量EAS为320mJ。此外，该MOSFET还具有低热阻特性，最大功率耗散在25°C时为312W，在70°C时为200W，确保了在不同工作温度下的高效散热能力。" FDD8647L-VB是一款高性能的N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET），特别设计用于需要高效能和低损耗的电力转换系统。TrenchFET技术是其核心技术之一，它通过采用沟槽结构来减小通道电阻，从而降低导通电阻（RDS(on)），这使得FDD8647L-VB在开关操作中能够提供更低的功耗和更高的效率。 这款MOSFET的RDS(on)值在VGS=10V时仅为0.0050Ω，这意味着在满载时它的内阻非常低，可以有效减少电源损耗。同时，当VGS降低到4.5V时，RDS(on)仍然保持在0.0065Ω，这表明该器件在低电压驱动下依然能保持良好的性能。Qg表示栅极电荷，是衡量MOSFET开关速度的重要参数，80nC的Qg值意味着FDD8647L-VB具备快速的开关特性，适合高速切换应用。 该器件的应用场景主要包括同步整流和电源供应。在同步整流中，FDD8647L-VB可以替代二极管，提供更低的正向压降和更高的效率。在电源供应领域，其低RDS(on)和快速开关特性使其成为DC-DC转换器的理想选择。 在安全方面，FDD8647L-VB经过100%的Rg和UIS测试，确保了其在各种工作条件下的稳定性。这些测试有助于防止短路和过电压情况，增强了设备的安全性。 关于温度特性，FDD8647L-VB的最大结温和存储温度范围为-55°C至150°C，保证了在广泛的工作环境中都能稳定运行。其热阻性能优秀，最大功率耗散在不同温度下有所变化，这确保了器件在高温环境下仍能有效地散热，避免过热导致的性能下降或损坏。 FDD8647L-VB是一款高性能、低损耗的N沟道MOSFET，适合应用于对效率和开关速度有高要求的电力系统中，如电源适配器、服务器电源、电池管理系统以及电动汽车充电站等场合。