IRLML5203TRPBF-VB: 30V P沟道SOT23封装高性能MOSFET
153 浏览量
更新于2024-08-03
收藏 427KB PDF 举报
IRLML5203TRPBF-VB是一款P沟道SOT23封装的高性能MOS场效应晶体管,属于TrenchFET® PowerMOSFET系列。这款器件特别适合移动计算应用,如负载开关、笔记本适配器开关以及DC/DC转换器。它具有以下主要特点:
1. **特性**:
- **耐压等级**: Drain-Source (D-S)电压最高可达30V,确保了在各种工作条件下提供足够的电流处理能力。
- **低阻抗设计**:栅极-源极导通电阻(RDS(on))在典型情况下在VGS = -10V时为0.046Ω,显示出高效率和低损耗。
- **温度适应性**:100% Rg测试,确保了在不同环境温度下的稳定性能。
- **热性能**:最大持续状态下的耗散功率PD在25°C时为2.5W,考虑到散热设计和安全操作范围。
2. **应用场合**:
- **移动计算**:由于其小巧的SOT-23封装,适用于对空间有限且功率需求较高的便携设备中。
- **电源管理**:例如在笔记本适配器和DC/DC转换器中,用于高效切换和电压调节。
3. **绝对最大参数**:
- 高温下操作:连续 drain电流ID在150°C时限制为-5.1A,在70°C时降低到-4.3A。
- 脉冲电流能力:短路条件下的峰值脉冲电流IDM为-18A,确保在突发负载下也能快速响应。
- 源极-漏极反向电流:尽管在正常情况下较低,但IS在25°C时仍能保持-2.1A,表明了良好的隔离性能。
4. **温度范围**:
- **工作温度**:从-55°C到150°C,覆盖了广泛的环境条件,保证了组件的长期稳定运行。
- **存储温度**:Tstg为-55°C,确保在存储期间不会因温度过低而受损。
5. **热阻抗**:
- 提供了典型的和最大值的热阻抗数据,用于计算元件内部热量传递,以便优化散热设计。
IRLML5203TRPBF-VB是一款高可靠性和低功耗的P沟道MOSFET,以其紧凑的封装和出色的热性能,适用于对小型化和效率有较高要求的电子系统设计。在选择和使用该器件时,需确保遵循制造商给出的温度限制和工作条件。
2023-12-22 上传
2023-12-22 上传
2023-12-21 上传
2023-12-25 上传
2023-12-28 上传
2023-12-25 上传
2023-12-25 上传
点击了解资源详情
点击了解资源详情

微碧VBsemi
- 粉丝: 7612
最新资源
- Swift实现渐变圆环动画的自定义与应用
- Android绘制日历教程与源码解析
- UCLA LONI管道集成Globus插件开发指南
- 81军事网触屏版自适应HTML5手机网站模板下载
- Bugzilla4.1.2+ActivePerl完整安装包
- Symfony SonataNewsBundle:3.x版本深度解析
- PB11分布式开发简明教程指南
- 掌握SVN代码管理器,提升开发效率与版本控制
- 解决VS2010中ActiveX控件未注册的4个关键ocx文件
- 斯特里尔·梅迪卡尔开发数据跟踪Android应用
- STM32直流无刷电机控制实例源码剖析
- 海豚系统模板:高效日内交易指南
- Symfony CMF路由自动化:routing-auto-bundle的介绍与使用
- 实现仿百度下拉列表框的源码解析
- Tomcat 9.0.4版本特性解析及运行环境介绍
- 冒泡排序小程序:VC6.0实现代码解析