AM4424N-T1-PF MOSFET: Halogen-Free TrenchFET Power MOSFET for Hi...

"AM4424N-T1-PF-SOT23-3是一款由VBsemi生产的N沟道30V MOSFET，适用于高侧同步整流器操作。这款MOSFET采用无卤素TrenchFET PowerMOSFET技术，通过了100% Rg和UIS测试，确保了其可靠性和性能。主要应用于笔记本CPU核心的高侧开关。该器件提供SOT23-3封装，具有低漏电阻和快速开关特性。在25°C时，其RDS(on)为0.008Ω（VGS=10V）和0.011Ω（VGS=4.5V），且Qg典型值分别为6.1nC和11nC。绝对最大额定值包括30V的VDS，±20V的VGS，以及13A至9A（依据温度变化）的连续漏电流ID。此外，还具备脉冲漏电流、连续源漏二极管电流、单脉冲雪崩电流和最大功率耗散等参数。" 详细说明: AM4424N-T1-PF MOSFET是一款高性能的N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管，设计用于高效率和高可靠性。其关键特性包括： 1. **无卤素**：这表明该器件不含卤化物，符合环保标准，降低了燃烧或处置过程中产生的有害物质。 2. **TrenchFET PowerMOSFET**：这种工艺技术使得MOSFET能够在更小的体积内实现更低的导通电阻和更高的开关速度，从而提高电源转换效率。 3. **优化高侧同步整流**：适合用作电源系统中的高侧开关，特别是在需要高效能和低损耗的应用中。 4. **100% Rg和UIS测试**：通过这些测试确保了MOSFET的栅极电阻和意外电压瞬变下的安全性。 5. **RDS(on)**：漏源导通电阻是衡量MOSFET在导通状态下电阻的重要参数，AM4424N在VGS=10V和4.5V时的RDS(on)分别为0.008Ω和0.011Ω，表明其在较低电压下也能保持较低的导通电阻，有利于降低功耗。 6. **Qg（栅极电荷）**：Qg是影响开关速度的关键因素，较低的Qg意味着更快的开关时间，6.1nC和11nC的典型值表明其开关速度快。 7. **绝对最大额定值**：如VDS为30V，VGS为±20V，连续漏电流ID根据温度不同在13A至9A之间，确保了器件在极端条件下的稳定性。 8. **热特性**：最大功率耗散（PD）和结温范围（TJ，Tstg）定义了MOSFET在不同温度下的工作能力，防止过热导致的损坏。 这款MOSFET适用于笔记本CPU核心的高侧开关，这意味着它在处理CPU核心供电时能有效降低损耗，提高能效。此外，其小尺寸SOT23-3封装使其易于在电路板上布局，适用于空间受限的设计。