氮气等离子体清洗改善SiNx:H/InP界面性能

"这篇论文研究了N2远程等离子体清洗InP表面以改善SiNx:H/InP界面性能的方法，重点关注其在光学镀膜领域的应用。通过电子回旋共振（ECR）氮气等离子体处理，提高了Al/SiNx:H/InP结构的电性能。" 在半导体技术中，InP（磷化铟）因其优秀的高频和光电子器件应用性能而受到广泛关注。然而，InP金属-绝缘体-半导体场效应晶体管（MISFET）设备的主要问题在于界面缺陷，这些缺陷会影响器件的电阻率和击穿场强。因此，提高InP与绝缘层之间的界面质量至关重要。 论文中介绍了一种使用电子回旋共振（ECR）氮气等离子体清洁InP表面的技术，以减少界面缺陷并优化电性能。在ECR化学气相沉积（CVD）技术下，以200°C的温度沉积SiNx:H绝缘层。研究发现，对InP表面进行30秒的低功率（60W）ECR N2等离子体处理，可以显著降低界面缺陷密度，从而提高SiNx:H层的电阻率和击穿场强。 这种清洁方法的采用对于改善器件的整体性能具有重要意义，因为它能够提高器件的稳定性，减少漏电流，并增强器件的开关性能。此外，通过这种方式处理后的InP/SiNx:H界面，可以提高MISFET和其他依赖于高质量界面的器件的性能，例如高电子迁移率晶体管（HEMTs）和光电设备。 在光学镀膜领域，优化的界面性能对于确保光信号的有效传输和减少损耗至关重要。SiNx:H作为一种透明导电氧化物，常用于光学涂层，其与InP基底的结合质量直接影响到光电器件的性能。因此，N2等离子体清洗技术的应用对于提升光电子设备的效率和可靠性具有实际价值。 该研究提供了一种有效改善InP与SiNx:H界面质量的方法，这对于提高基于InP的半导体器件的性能具有深远影响，特别是在光学镀膜和高频、光电子应用中。通过ECR氮气等离子体清洗技术，科学家们能够更精细地控制界面特性，从而推动InP基器件技术的进步。