非插入式器件测量：消除转接器影响的理论突破

"非插入式器件的测量是微波工程中的一个重要问题，因为这些器件的端口类型往往与矢量网络分析仪(VNA)不匹配，需要使用双阴或双阳转接器进行连接。然而，转接器的存在会影响测量结果，导致被测器件的实际值难以准确获取。本文通过计算和实验，探讨了如何消除转接器对非插入式器件测量的影响，为端口延伸和去嵌入技术提供了理论依据。 在微波射频领域，非插入式器件通常需要通过适配器才能与VNA相连，但由于适配器自身的损耗和时延，测量结果包含了适配器的影响。传统的校准方法，如特性未确定直通法、特性确定直通法、等适配器交换法、适配器移除等，虽然能部分减少影响，但无法直接去除转接器的效应。本文提出了一种新的方法，即通过单端口测试转接器，利用信号流图和梅森公式来计算转接器的S参数，并假设一定的条件，使得理论计算值接近实际测量值，从而得到被测器件的真实性能。 实验步骤包括使用高精度的VNA、电缆、校准件以及步进衰减器，进行全双端口SOLT校准以消除系统误差。然后，在不同方法下测试，比如在方法1中，将双阴和双阳转接器连接到50Ω匹配负载上，通过比较和分析测量数据，可以确定转接器的特性并从中提取被测器件的实际值。 这一研究不仅解决了非插入式器件测量的难题，也为其他类型适配器的测量提供了通用性思路，对于工业控制和微波工程的精确测试具有重要意义。通过深入理解和应用本文介绍的方法，工程师能够更准确地评估和表征非插入式器件，从而提升微波系统设计的精度和可靠性。"