Intel M36L0R7060: 128Mbit Flash & 64Mbit PSRAM 多芯片封装技术规格

"M36L0R7060规格书是关于Intel NOR闪存MTD开发的一份技术文档，详细介绍了M36L0R7060这款多芯片封装（Multi-Chip Package）存储解决方案。该产品结合了128Mbit的多级、多银行、突发模式闪存内存和64Mbit的突发模式伪SRAM，适用于1.8V电源供应的设备。" M36L0R7060是一款由Intel推出的先进存储解决方案，它集成了两种不同类型的内存：128Mbit的闪存和64Mbit的PSRAM。这款产品的关键特性包括： 1. **多芯片封装**：在一个封装内集成了一颗128Mbit的闪存和一颗64Mbit的PSRAM，减少了板级空间需求，提高了系统集成度。 2. **电源电压**：工作在1.7V到1.95V的VDDF、VCCP和VDDQF电源电压下，而快速编程时的VPPF电压为9V。 3. **电子签名**：制造商代码为20h，顶部设备代码为M36L0R7060T1时为88C4h，底部设备代码为M36L0R7060B1时为88C5h，用于识别和验证芯片身份。 4. **读取性能**：支持同步突发读取模式，速度可达54MHz，随机访问时间为85ns。同时具备同步突发读取暂停功能，增强了数据传输的灵活性。 5. **编程时间**：使用Buffer Enhanced Factory Program命令，典型字编程时间为2.5μs，提高了编程效率。 6. **内存组织**：采用多银行内存阵列结构，每个银行8Mbit，还包含参数块，可以设置在顶部或底部位置，增加了设计的灵活性。 7. **通用闪存接口（CFI）**：支持通用闪存接口标准，简化了与控制器的通信和兼容性。 8. **耐久性**：每个块可进行100,000次编程/擦除周期，确保了在频繁写入操作下的长期可靠性。 9. **双**：此信息可能表明产品支持双接口或双模式操作，但具体细节未在摘要中完全提供。 这款产品是为满足高速、低功耗和高集成度需求的嵌入式系统设计的。其闪存部分适合存储固件、操作系统和其他非易失性数据，而PSRAM则提供高速缓存功能，支持实时数据处理。M36L0R7060适用于多种应用，如移动设备、网络设备、工业控制和嵌入式计算系统。由于其预发布性质，用户需要注意文档中的信息可能会随着开发进程有所变更。