M36W0R5040U6ZS: 32/64Mbit Flash Memory & 16/32Mbit PSRAM MCP

"M36W0R5040U6ZS Flash文档" M36W0R5040U6ZS是一款多芯片封装（MCP）的存储解决方案，结合了32Mbit或64Mbit的多路复用I/O多银行突发闪存内存和16Mbit或32Mbit的多路复用I/O突发同步静态随机存取内存（PSRAM）。这款组件设计用于满足高性能和低电压应用的需求。 关键特性包括： 1. **多芯片封装**：该器件集成了一个32Mbit或64Mbit的闪存芯片和一个16Mbit或32Mbit的PSRAM芯片，提供了一体化的存储解决方案，节省了板级空间并简化了系统设计。 2. **电压供应**：工作电源VDD和数据线电源VDDQ的电压范围是1.7V到1.95V，编程电源VPPF为9V，这允许快速编程。 3. **电子签名**：制造商代码为20h，不同容量的设备有不同的设备代码，例如32Mbit的顶部和底部设备代码分别为8828h和8829h，而64Mbit的代码为88C0h和88C1h。 4. **读取性能**：支持同步和异步读取。同步突发读取模式下速度可达66MHz，随机访问速度为70ns，提供了高速的数据存取能力。 5. **同步突发读取暂停**：这一特性允许在执行突发读取操作时暂停，增强了系统的灵活性和控制。 6. **编程时间**：工厂编程通常每个字节耗时10μs，还提供了双倍和四倍字节编程选项，提高了编程效率。 7. **内存结构**：采用多银行内存阵列设计，每个银行为4Mbit，便于管理和快速访问不同的数据区域。 8. **双操作功能**：可以在一个银行进行编程或擦除操作，同时在其他银行读取，且在读写之间无需延迟，实现了高效的并发操作。 9. **通用闪存接口**：支持通用的闪存接口标准，兼容多种控制器和系统设计。 10. **符合RoHS规定**：产品符合欧盟的RoHS指令，无铅且符合环保要求。 M36W0R5040U6ZS是一款高性能、低电压的存储组件，适用于需要高速、高密度存储和复杂操作的应用，如嵌入式系统、通信设备和移动设备等。其独特的设计和功能组合使其成为高效能系统设计的理想选择。