IPB120N04S4-02-VB：100%测试的N沟道TrenchFET功率MOSFET

"IPB120N04S4-02-VB是一款N沟道的TrenchFET功率MOSFET，采用TO263封装，适用于同步整流和电源供应等应用。其主要特点包括100%的Rg和UIS测试。在不同的工作条件下，该MOSFET具有低的导通电阻和快速的开关性能。" IPB120N04S4-02-VB是一款高性能的N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET），由先进的TrenchFET技术制造，旨在提供高效能和低损耗的解决方案。TrenchFET技术通过在硅片上刻蚀出深沟槽，减小了沟道电阻，从而降低了导通电阻，提高了电流处理能力。 该器件的最大额定 Drain-Source 电压（VDS）为4伏特，这表示当源极和漏极之间的电压达到4V时，MOSFET仍能正常工作。连续漏极电流（ID）在25°C时可高达150安培，而在70°C时则降至120安培，显示了良好的热稳定性。在VGS=10V时，RDS(on)典型值仅为0.0017欧姆，这意味着在满偏置时，其内部的电阻非常低，适合用于高效率的电源转换。 Qg参数表明该MOSFET的总栅极电荷为120nC，这影响了开关速度，较低的电荷量意味着更快的开关性能，减少了开关过程中的能量损失。同时，这款MOSFET还通过了100%的Rg和UIS测试，确保了其在应用中的可靠性和安全性。 IPB120N04S4-02-VB适用于同步整流，这是一种在开关电源中提高效率的技术，通过用MOSFET替代二极管来降低损耗。此外，它也适用于电源供应，如DC-DC转换器和其他需要高效能开关元件的场合。 在热特性方面，该MOSFET的结温范围是-55至150°C，确保了其在各种环境温度下的稳定运行。在25°C时，最大连续功率耗散（PD）可达312瓦，而70°C时则为200瓦。这些参数需要考虑安装和散热条件，如表面安装在1"x1"FR4板上时的散热能力。 总结，IPB120N04S4-02-VB是一款高性能、低损耗的N沟道MOSFET，适用于需要高效、快速开关特性的电源应用。其出色的电气特性和热管理能力使其成为设计者在同步整流和电源供应领域中的理想选择。