2SK3385-Z-E1-AZ-VB：耐高温175°C N沟道TO252封装MOSFET特性与规格

2SK3385-Z-E1-AZ-VB是一种N沟道TrenchFET型功率MOSFET，它采用TO252封装，专为高温工作环境设计，具有优良的性能和可靠性。该MOSFET的主要特点包括： 1. **高温规格**：这款MOSFET的结温高达175°C，适合在苛刻的工业应用中稳定运行。 2. **电流参数**： - 在VGS=10V时，rDS(on)（漏极导通电阻）为0.025Ω。 - 当VGS=4.5V时，rDS(on)为0.030Ω。 - 长时间连续工作下的最大漏极电流（ID）在TJ=175°C和25°C时分别为100A和60A。 - PulsedDrainCurrent（脉冲漏极电流）限制为100A，单个雪崩能量（EAS）为20mJ，适用于短时间峰值负载。 3. **电荷存储能力**：单个雪崩事件的能量阈值为L=0.1mH的条件下，最大能量吸收限制为20mJ。 4. **功率管理**：最大功率耗散（PD）在25°C下为100W，确保了高效能和散热设计。 5. **温度范围**：MOSFET的工作和存储温度范围广泛，从-55°C到175°C，满足不同环境条件下的稳定性要求。 6. **热阻特性**： - Junction-to-Ambient热阻（RthJA）典型值为18°C/W，最大值为22°C/W，对于快速散热至关重要。 - Junction-to-Case热阻（RthJC）在稳态条件下，典型值为3.2°C/W，最大值为4°C/W。 7. **封装和结构**：采用TO252封装，其设计包括Drain连接到Tab，有助于优化散热路径。它是一个表面安装器件，可直接焊接到1"x1"FR4电路板上，但建议不超过10秒。 8. **合规性**：该产品符合RoHS标准，确保了环保要求。 9. **制造商信息**：2SK3385-Z-E1-AZ-VB由VBsemi公司提供，如需技术支持，可通过服务热线400-655-8788联系。 2SK3385-Z-E1-AZ-VB是一款高性能的N沟道MOSFET，适用于需要高耐温、低阻抗和大电流的应用场景，具有严格的温度管理和可靠的安全性特性。在设计电路时，这些规格信息是至关重要的参考依据。