Hynix HY62UF16404D: 256Kx16bit SuperLowPower FCMOS SRAM 技术规格

"Hynix HY62UF16404D.pdf" 本文档是对Hynix Electronics的HY62UF16404D系列256Kx16位超低功耗FCMOS慢速SRAM的详细产品描述。这份文档可能会在不事先通知的情况下进行更改，且Hynix Electronics不对所描述的电路的使用承担责任，也没有暗示任何专利许可。 该内存芯片是基于2.7~3.3V电源的256Kx16位全CMOS静态随机存取存储器（SRAM），采用高效能全CMOS工艺技术制造，旨在实现高速度和低功耗。它特别适合高密度低功耗系统应用。设计特点包括数据保留模式，即使在电源电压的最低限度下，也能确保数据保持有效。 文档的修订历史记录了从2000年12月至2001年10月的多次修改，包括公司标识、电流消耗值、封装尺寸以及某些电气特性的调整，如tCHZ、tOHZ和tBHZ的时间参数从30ns缩短到20ns。 HY62UF16404D的主要特性： 1. 高速度：该器件设计用于高速操作，提供快速的数据访问能力。 2. 超低功耗：采用先进的低功耗CMOS工艺，适合对能耗敏感的应用。 3. 4Mbit（256Kx16位）存储容量：提供较大的存储空间，适合需要大量临时数据存储的系统。 4. 数据保留模式：在低电源电压条件下，仍能保持数据的完整性。 5. 全CMOS工艺：使用高性能全CMOS工艺，结合了速度和功耗的优化。 6. 电气特性：tCHZ、tOHZ和tBHZ是与读写操作相关的时序参数，04版修订中将这些时间参数缩短，表明了设备的响应速度更快。 这些特性使得HY62UF16404D适用于便携式设备、嵌入式系统、低功耗计算和通信设备等场景，其中需要高性能和低功耗的内存解决方案。 总结起来，HY62UF16404D是一款集高速、低功耗和大容量于一体的SRAM，通过不断的技术改进和参数优化，满足了现代电子设备对内存的需求。