Hynix HY62UF16404D: 256Kx16bit SuperLowPower FCMOS SRAM 技术规格
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更新于2024-08-13
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"Hynix HY62UF16404D.pdf"
本文档是对Hynix Electronics的HY62UF16404D系列256Kx16位超低功耗FCMOS慢速SRAM的详细产品描述。这份文档可能会在不事先通知的情况下进行更改,且Hynix Electronics不对所描述的电路的使用承担责任,也没有暗示任何专利许可。
该内存芯片是基于2.7~3.3V电源的256Kx16位全CMOS静态随机存取存储器(SRAM),采用高效能全CMOS工艺技术制造,旨在实现高速度和低功耗。它特别适合高密度低功耗系统应用。设计特点包括数据保留模式,即使在电源电压的最低限度下,也能确保数据保持有效。
文档的修订历史记录了从2000年12月至2001年10月的多次修改,包括公司标识、电流消耗值、封装尺寸以及某些电气特性的调整,如tCHZ、tOHZ和tBHZ的时间参数从30ns缩短到20ns。
HY62UF16404D的主要特性:
1. 高速度:该器件设计用于高速操作,提供快速的数据访问能力。
2. 超低功耗:采用先进的低功耗CMOS工艺,适合对能耗敏感的应用。
3. 4Mbit(256Kx16位)存储容量:提供较大的存储空间,适合需要大量临时数据存储的系统。
4. 数据保留模式:在低电源电压条件下,仍能保持数据的完整性。
5. 全CMOS工艺:使用高性能全CMOS工艺,结合了速度和功耗的优化。
6. 电气特性:tCHZ、tOHZ和tBHZ是与读写操作相关的时序参数,04版修订中将这些时间参数缩短,表明了设备的响应速度更快。
这些特性使得HY62UF16404D适用于便携式设备、嵌入式系统、低功耗计算和通信设备等场景,其中需要高性能和低功耗的内存解决方案。
总结起来,HY62UF16404D是一款集高速、低功耗和大容量于一体的SRAM,通过不断的技术改进和参数优化,满足了现代电子设备对内存的需求。
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