FQB34N20L-VB: 200V N沟道TO263封装高性能MOS管

FQB34N20L-VB是一种高性能的N沟道沟槽型功率MOSFET，它采用了TO263封装，适用于需要快速开关、低热阻和高可靠性的电子应用。该MOSFET的主要特点包括： 1. **TrenchFET®技术**：这种MOSFET采用沟槽型设计，可以提供更低的栅极-源极（VGS）电压损耗，提高效率并减少开关损耗。 2. **高温工作能力**：FQB34N20L-VB的额定结温高达175°C，这意味着它可以在高温环境下稳定运行，适合那些对散热要求较高的应用。 3. **低热阻封装**：TO263封装结构有助于降低器件内部的热阻，有助于更有效地将热量散发到周围环境，提高散热效率。 4. **电源优化**：该MOSFET经过优化，特别适合于脉冲或连续快速开关，确保在高频率操作下仍能保持良好的性能。 5. **符合RoHS指令**：产品符合2002/95/EC指令，满足了欧洲环保标准，保证了使用的安全性。 在电气参数方面，FQB34N20L-VB具有以下特性： - 驱动电压范围宽，可达±20V。 - 在VGS=10V时，静态漏电流（RDS(on)）为0.048Ω，显示出出色的开关性能。 - 当VGS=6.5V时，最大持续导通电流ID为40A，而在脉冲模式下，最大允许的脉冲电流（IDM）可达到80A。 - 高峰值雪崩电流（IAR）为20A，能够承受一定的过载条件。 - 重复性雪崩能量（EAR）为16.2mJ，体现了其抗过压能力。 安全限制方面，产品提供了最大操作和存储温度范围（-55°C至175°C），以及在25°C下的最大功耗限制（PD）为200W，但在此条件下，瞬态功率（TA=25°C）的热耗散限制为4.5W。 此外，值得注意的是，当该MOSFET安装在1平方英寸（FR-4材料）的PCB上，并且在1%的负载周期下，用户应参考安全工作区域（SOA）曲线来确定电压降的影响，并遵守相关注意事项。 FQB34N20L-VB是一款适合在高电压、高温和快速开关需求的N沟道MOSFET，适用于隔离式DC/DC转换器中的主开关等应用。选择和使用此型号时，需充分考虑其电气特性和工作条件下的限制。