FQB50N06-VB：175°C结温N沟道TO263 MOSFET

"FQB50N06-VB是一款N沟道MOSFET，采用TO263封装，适用于高温环境，具有175°C的结温，并且是TrenchFET技术的功率MOSFET。其关键特性包括高耐压60V、低导通电阻以及良好的热性能。" FQB50N06-VB是一款由VBsemi公司生产的N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET），它采用了TO263封装，这种封装方式也被称为D2PAK，适合在表面安装于1"x1"FR4电路板上。该器件特别设计用于承受高达175°C的结温，这使得它在高温环境下仍能保持稳定的工作。 此款MOSFET是TrenchFET技术的产物，这是一种通过在硅片上刻蚀出深沟槽来提高开关性能和降低导通电阻的技术。TrenchFET设计有助于减少导通电阻，从而在高电流应用中降低功率损耗和发热。 在电气特性方面，FQB50N06-VB的最大门极-源极电压(VGS)为±20V，连续漏极电流(ID)在25°C时为75A，在100°C时为50A。脉冲漏极电流>IDM达到200A，而连续源极电流(IS)同样是50A。此外，它能承受的最大雪崩电流(IAS)为50A，单次雪崩能量(EAS)在L=0.1mH条件下为125mJ。最大功率耗散(PD)在25°C时为136W，这在特定条件下可能会有所不同。 热性能方面，该器件的典型最大结到壳热阻(RthJC)为0.85°C/W，最大值为1.1°C/W，而结到环境的热阻(RthJA)在短时间(t≤10s)内为15°C/W，稳态时为40°C/W至50°C/W。这些数值对于设备的散热设计至关重要，确保MOSFET在工作时不会过热。 这款MOSFET的额定 Drain-Source电压(VDS)为60V，低导通电阻在VGS=10V时为11mΩ，VGS=4.5V时为12mΩ，这表明在较低的驱动电压下也能保持较低的导通电阻，提高了效率。此外，它适合单极性配置，并且最大额定连续电流为75A。 FQB50N06-VB是一款高性能的N沟道MOSFET，适用于需要高耐压、低导通电阻和良好热管理的电源转换、电机驱动以及其他高压、大电流应用。用户可以通过VBsemi的400-655-8788服务热线获取更多产品信息或查阅FQB50N06-VB的数据手册以获取详细的技术规格。