H5TQ2G43CFR-xxC DDR3 SDRAM规格详解

"DDR3 H5TQ2G4是海力士(Hynix Semiconductor)推出的一款2Gb DDR3 SDRAM内存芯片，适用于需要高内存密度和带宽的主内存应用。该芯片遵循DDR3同步动态随机存取存储器的标准，提供双倍数据速率（Double Data Rate）的高速性能，并且符合RoHS标准，即无铅和无卤素。" 正文: DDR3 H5TQ2G4内存芯片是海力士半导体在2011年推出的，其详细规格书提供了这款产品的关键信息。此内存芯片具有2,147,483,648位的存储容量，即2Gb，采用CMOS技术制造，设计用于满足高性能计算和数据中心等应用对大容量内存和高传输速度的需求。 DDR3 SDRAM的核心特性在于其同步操作，它与系统时钟同步，利用时钟信号的上升沿和下降沿来捕获地址和控制输入，而数据、数据 strobe 和写数据掩码则在时钟的两个边缘进行采样。这种设计显著提高了数据传输速率，内部的数据路径通过流水线和8位预取技术进一步优化，以实现更高的带宽。 产品特性包括： 1. **双倍数据速率三代（DDR3）**：DDR3内存能在时钟周期的上升沿和下降沿传输数据，相比前一代DDR2，其数据传输速率翻倍。 2. **2Gb容量**：每个芯片提供2Gb（2千兆位）的存储空间，适合构建大容量内存模块。 3. **同步操作**：所有地址和控制输入均在时钟的上升沿（下降沿）被捕获，确保了操作的同步性。 4. **内部流水线和8位预取**：提升数据处理效率，增强带宽表现。 5. **RoHS兼容**：符合无铅和无卤素（Lead-Free & Halogen-Free）的环保标准，即符合欧盟的RoHS指令，减少了对环境的影响。 6. **双沿触发**：数据、数据 strobe 和写数据掩码在时钟的两个边缘采样，实现双倍数据传输速率。 订购信息中可能包括不同的型号（如H5TQ2G43CFR-xxC和H5TQ2G83CFR-xxC），这些型号可能表示不同的速度等级、电压或温度范围，以适应不同应用场景的需求。 修订历史表明，这份规格书的0.1版在2011年8月发布，相较于之前的0.01版，增加了IDDSpecification的相关内容，这可能涉及到设备的识别和通信协议。 DDR3 H5TQ2G4内存芯片是海力士针对高性能计算需求而设计的一款高效能、大容量的内存解决方案，它的特点在于高带宽、低功耗以及环保属性，广泛应用于服务器、工作站和个人计算机的内存模块中。