APM4826KC-TRG-VB MOSFET：30V N沟道高性能同步整流器

"APM4826KC-TRG-VB是一款由APM推出的N沟道30V MOSFET，适用于高侧同步整流器操作。它采用SOP8封装，具有低RDS(ON)，优化的开关性能，100% Rg和UIS测试，适用于笔记本CPU核心的高侧开关应用。该器件为无卤素设计，采用了TrenchFET技术，提供更好的热管理和效率。" APM4826KC-TRG是一款高性能的N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET），主要特点包括： 1. **无卤素**：该MOSFET符合环保标准，不含卤素元素，适合在对环保要求严格的电子产品中使用。 2. **TrenchFET技术**：采用TrenchFET结构，这种技术利用沟槽式沟道来减小晶体管的表面积，从而降低RDS(ON)，提高开关速度，减少功耗。 3. **优化的高侧同步整流器操作**：设计适用于高侧同步整流器，能有效提高电源转换系统的效率，降低损耗。 4. **RDS(ON)特性**：在VGS = 10V时，RDS(ON)仅为8毫欧，而在VGS = 4.5V时，RDS(ON)为11毫欧。低的RDS(ON)意味着在导通状态下电阻小，可以降低传导损耗。 5. **测试保证**：100%的Rg和UIS测试确保了器件的可靠性和安全性，Rg测试检查栅极电阻，UIS测试则验证器件承受过电压的能力。 6. **应用领域**：适用于笔记本电脑CPU核心的高侧开关，以及需要高效能、低损耗的电源管理场景。 7. **参数规格**： - **最大漏源电压(VDS)**：30V - **栅源电压(VGS)**：±20V，允许的栅极电压范围宽泛 - **连续漏极电流(ID)**：在不同温度下有不同的额定值，如25°C时为13A，70°C时为9A - **脉冲漏极电流(IDM)**：45A，适合短时间的大电流脉冲应用 - **连续源漏二极管电流(IS)**：在25°C时为3.7A，提供反向导通能力 - **单脉冲雪崩电流(IAS)**：20A，保证了在雪崩条件下的安全工作 - **最大功率耗散(PD)**：随温度变化，25°C时为4.1W，70°C时为1.3W 8. **热性能**：器件的最大结温和储存温度范围广，但最大功率耗散会随着温度升高而下降，需注意散热设计。 综合以上特性，APM4826KC-TRG是一款适用于高功率、高效率电源转换系统的优质MOSFET，其低阻抗和优化的开关性能使得它在笔记本电脑CPU核心等高密度、高效率应用中表现出色。在设计电路时，应充分考虑其参数，确保在实际工作条件下不超过绝对最大额定值，以保证器件的稳定性和寿命。