英飞凌CoolMOS CE 600V MOSFET技术规格手册

"IPN60R1K5CE 英飞凌芯片 INFINEON 中文版规格书手册.pdf" 本文将详细解读英飞凌（INFINEON）的IPN60R1K5CE MOSFET芯片，这是一款基于超级结（Superjunction）技术的600V CoolMOS CE功率晶体管，适用于消费者和照明市场的成本敏感应用，同时保持了高效能标准。 产品特性 1. 极低损耗：IPN60R1K5CE的非常低的FOM（Figure of Merit）Rdson*Qg和Eoss参数表明其在开关过程中的能量损失极低。Rdson是导通电阻，Qg是总栅极电荷，Eoss是存储电荷，这些参数的优化意味着在工作时能效更高。 2. 高耐受性：芯片具有很高的换流坚韧度，能够在高压环境下稳定工作，保证了在大电流切换时的可靠性。 3. 易驱动和使用：设计上考虑了用户友好性，这意味着该MOSFET易于驱动和控制，简化了系统集成。 4. 环保材料：采用无铅镀层和无卤素封装材料，符合环保要求。 5. 标准级应用资格：已通过标准级应用的资格认证，确保了其在各种环境下的稳定表现。 应用场景 这款MOSFET主要应用于电源适配器、充电器以及照明设备。其中，由于其快速开关和低损耗特性，特别适合在高效率电源转换和控制电路中使用。 并联使用注意事项 当需要并联多个IPN60R1K5CE以增加电流处理能力时，规格书提示应在栅极线上使用铁氧体珠（ferrite bead）。这是因为铁氧体珠可以有效地减少栅极间的环路电感，从而避免并联MOSFET间的电压不均衡问题，防止电流分布不均导致的热不稳定性。 IPN60R1K5CE是英飞凌在功率半导体领域的杰出之作，结合了超级结技术的优势和对成本效益的优化，为电源设计提供了高效、可靠的解决方案。其优秀的性能指标和易用性使其在各种应用场合中表现出色，尤其是在对能源效率有严格要求的领域。