模拟电子技术第2章习题详解与知识点总结

模拟电子技术教程第2章习题答案文档涵盖了模拟电子技术基础理论和实践应用的重要知识点，涉及半导体导电特性的理解、PN结工作原理、二极管和三极管功能、场效应管的类型及其工作模式、双极型与单极型器件的区别、小信号分析方法、稳压器的特性、电子元件的频率响应、偏置电路的作用以及各种晶体管工作区域的划分。以下是对这些知识点的详细解释： 1. **半导体导电性质**：N型半导体在导电过程中确实有空穴参与，而P型半导体则有电子参与。PN结内部在不加外电压时，虽然没有外部电场驱动，但内部仍可能存在少数载流子的热运动。 2. **PN结动态特性**：正向偏置时，PN结宽度减小；反向偏置时，N区的宽度增加。作漂移运动的并不一定都是少数载流子，例如在放大状态的晶体管，集电极电流是由多数载流子（多子）的漂移运动产生的。 3. **基本电子元件**：二极管和稳压管属于双极型器件（A和B），而结型场效应管（C）和MOS管（D）是单极型器件。H参数模型适用于小信号输入分析（A、C、D），其中结型场效应管和耗尽型MOS管在UGS=0V时能工作在恒流区。 4. **二极管与稳压管特性**：二极管的核心特性是单向导电性和两个关键参数（最大整流电流和最大反向电压）。稳压管的稳压值受温度影响，正温度系数的稳压管在温度升高时稳压值上升。 5. **组合电路设计**：通过不同组合，可以利用稳压管获得多种稳定的电压输出，如3V、9V、3.7V、6.7V和0.7V。PN结的结电容效应对高频电路性能有影响，需考虑。 6. **偏置与保护**：变容二极管和发光二极管工作时分别需要偏置电路和串联电阻来保证正常工作，防止过电流损伤。 7. **晶体管工作区域**：三极管的输出特性曲线包括饱和区、放大区、截止区，它们的分界线由特定的电压条件界定，如UCB=0（饱和区与放大区的分界）和IB=0或IC=ICEO（截止区与放大区的分界）。 8. **FET工作特性**：耗尽型FET的可变阻区和恒流区边界由UGD=UGS(off)决定，截止区和恒流区边界由UGS=UGS(off)表示。 这些习题涵盖了模拟电子技术的基础概念和常见问题，通过解答这些题目，学习者可以深化对半导体器件工作原理、电路分析技巧以及元件应用的理解。对于深入理解和掌握模拟电子技术，这些习题答案提供了宝贵的实践指导。