SI7617DN-VB：30V P沟道TrenchFET MOSFET适用于电源开关应用

"SI7617DN-VB是一款P沟道金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET），采用DFN8（3x3）封装，适用于电源管理、负载开关、适配器开关以及笔记本电脑等应用。该器件符合无卤素IEC61249-2-21标准，具有TrenchFET®技术，提供低热阻的PowerPAK®封装，拥有小巧尺寸和低至1.07mm的薄型设计。产品经过100%的Rg和UIS测试，并符合RoHS指令2002/95/EC。" SI7617DN-VB MOSFET是一种高性能的P沟道 MOSFET，其主要特性包括： 1. **无卤素**：该器件按照IEC61249-2-21定义，不含有卤素成分，符合环保要求。 2. **TrenchFET®技术**：采用了先进的沟槽结构，能提供更低的导通电阻和更好的开关性能，从而降低功耗和提高效率。 3. **PowerPAK®封装**：这种封装设计具有低热阻，即使在小尺寸下也能有效地散热，有助于防止过热并提升系统稳定性。 4. **低轮廓设计**：器件高度仅为1.07mm，适合空间紧凑的应用场景，如便携式电子设备。 5. **100% Rg和UIS测试**：确保了可靠性和安全性，Rg测试验证了栅极漏电流，UIS测试则验证了器件承受过电压的能力。 6. **RoHS兼容**：符合欧盟的RoHS指令，意味着它不含铅和其他有害物质，有利于环保。 在应用方面，SI7617DN-VB适用于： - **负载开关**：在电源管理系统中，用于控制电路的开/关，以节省能源或保护负载。 - **适配器开关**：在电源适配器中，作为控制元件，实现电源的高效转换。 - **笔记本电脑**：在笔记本电脑内部，可能被用作电源管理和保护组件，确保电池和系统的安全运行。 在电气参数方面，这款MOSFET的绝对最大额定值包括： - **Drain-Source电压（VDS）**：-30V，表示源极和漏极之间可以承受的最大电压。 - **Gate-Source电压（VGS）**：±20V，即栅极和源极之间的电压范围。 - **连续漏电流（ID）**：在不同温度下有不同的最大值，例如在25°C时为-45A，70°C时为-11.5A。 - **脉冲漏电流（IDM）**：最大允许脉冲漏电流为-60A，适用于瞬态高电流需求。 - **连续源漏二极管电流（IS）**：在25°C时，最大为-3.2A，表示二极管模式下的电流能力。 - **雪崩电流（IAS）**：在特定电感下，允许的最大雪崩电流为-25A。 - **单脉冲雪崩能量（EAS）**：31.25mJ，表示在安全操作范围内器件可承受的最大雪崩能量。 - **最大功率耗散（PD）**：在不同温度下也有所不同，如25°C时为52W，70°C时为43W。 此外，还给出了操作结温及储存温度范围（TJ和Ts），确保器件在这些温度条件下仍能正常工作。SI7617DN-VB是为需要高效、小型化、低热阻解决方案的电源管理应用而设计的理想选择。