IRFR9120NTRPBF-VB：P沟道100V MOSFET for Power Switching Application...

"IRFR9120NTRPBF-VB是一款P沟道的MOSFET晶体管，采用TO252封装，适用于电源开关和DC/DC转换器等应用。这款器件符合RoHS指令，并且是无卤素设计。其主要特性包括TrenchFET功率MOSFET技术，100%的Rg和UIS测试。在特定条件下，其最大连续漏源电压（VDS）为-100V，门极源极电压（VGS）为±20V，最大连续漏极电流（ID）在TJ=150°C时为-8.8A，而在TJ=70°C时为-7.1A。此外，它还具有脉冲漏极电流（IDM）为-25A，雪崩电流（IAS）为-18A的能力。单次雪崩能量（EAS）在L=0.1mH时为16.2mJ，最大功率耗散（PD）在TC=25°C时为32.1W。该器件的工作结温及储存温度范围为-55至150°C，结壳热阻（RthJA）为50°C/W。" IRFR9120NTRPBF-VB是Infineon Technologies（英飞凌科技）生产的一款高性能P沟道金属氧化物半导体场效应管（MOSFET）。这款MOSFET采用了先进的TrenchFET技术，这种技术通过在硅片上挖掘深沟槽来实现更小的尺寸和更低的电阻，从而提高开关效率和降低导通损耗。TrenchFET设计使得IRFR9120NTRPBF-VB在电源管理应用中表现出色，能够有效地控制电流并降低功耗。 该器件的电气特性表现在其能承受的最大电压、电流和功率等级上。100V的VDS额定值表明它可以处理高达100伏的电压波动，而RDS(on)低至0.250欧姆（在VGS=-10V时）和0.280欧姆（在VGS=-4.5V时），这使得IRFR9120NTRPBF-VB在高效率电源转换和开关应用中具有低导通电阻，从而减少发热和提高效率。同时，器件通过了100%的Rg和UIS测试，确保了可靠性和安全性。 在实际应用中，IRFR9120NTRPBF-VB适合用作电源开关，如在DC/DC转换器中作为开关元件，用于控制电流的通断。其符合RoHS指令和IEC61249-2-21标准，表明它是无卤素的，符合环保要求。此外，其最大功率耗散和结壳热阻参数意味着在散热良好的情况下，可以承受较大的功率负载，但需注意在大电流或高温环境下进行适当的散热设计。 IRFR9120NTRPBF-VB是一款高性能、环保的P沟道MOSFET，适用于对效率和可靠性要求高的电源系统，特别是在需要低导通电阻和高开关速度的场合。在设计时，应根据其绝对最大额定值和热特性来确保设备的稳定运行。