IRFR120NTRPBF-VB: TO252封装100V 18A MOSFET详解及应用

IRFR120NTRPBF是一款由VBsemi公司生产的高性能N沟道沟槽场效应晶体管（TrenchFET PowerMOSFET），特别适用于高压和高电流应用场景。这款MOSFET具有以下关键特性： 1. **电压规格**： - 驱动端到源电压（VDS）最大可达100V，确保了在初级侧开关等高电压设计中的稳定性。 - 最大允许的栅极到源电压（VGS）为±20V，保证了宽广的工作电压范围。 2. **电流能力**： - 在125°C的环境温度下，持续漏极电流（ID）可达13A，而在25°C时的脉冲漏极电流（IDM）可高达40A。 - 持续源电流（IS）为3A，适合低阻抗负载。 3. **保护特性**： - 100%的栅极电阻（Rg）测试，确保了电路的可靠性和稳定性。 - 符合RoHS指令2002/95/EC，环保标准合规。 4. **热性能**： - 结温高达175°C，适应高温工作环境。 - 热阻值（如Junction-to-Ambient RthJA 和 Junction-to-Case RthJC）在典型和最大情况下提供了良好的散热能力。 5. **安全限制**： - 定义了绝对的最大操作和储存温度范围，从-55°C到175°C，以及最大功率耗散（PD）在不同条件下的限制。 6. **封装形式**： - TO252封装，适合表面安装在1"x1" FR4板上，提供小型化和高效散热解决方案。 该MOSFET的应用场景广泛，特别是在需要高效率、高耐压和高可靠性的场合，如电源转换器、电机驱动、开关电源等。为了保证设备的最佳性能，用户在实际应用中需参考产品数据表中的安全操作区（SOA曲线），了解不同电压等级下的电压降情况。IRFR120NTRPBF是一款值得信赖的高性能N沟道MOSFET，能满足各种工业级和商业级电子设备的需求。