IRFR120NTRPBF是一款由VBsemi公司生产的高性能N沟道沟槽场效应晶体管(TrenchFET PowerMOSFET),特别适用于高压和高电流应用场景。这款MOSFET具有以下关键特性: 1. **电压规格**: - 驱动端到源电压(VDS)最大可达100V,确保了在初级侧开关等高电压设计中的稳定性。 - 最大允许的栅极到源电压(VGS)为±20V,保证了宽广的工作电压范围。 2. **电流能力**: - 在125°C的环境温度下,持续漏极电流(ID)可达13A,而在25°C时的脉冲漏极电流(IDM)可高达40A。 - 持续源电流(IS)为3A,适合低阻抗负载。 3. **保护特性**: - 100%的栅极电阻(Rg)测试,确保了电路的可靠性和稳定性。 - 符合RoHS指令2002/95/EC,环保标准合规。 4. **热性能**: - 结温高达175°C,适应高温工作环境。 - 热阻值(如Junction-to-Ambient RthJA 和 Junction-to-Case RthJC)在典型和最大情况下提供了良好的散热能力。 5. **安全限制**: - 定义了绝对的最大操作和储存温度范围,从-55°C到175°C,以及最大功率耗散(PD)在不同条件下的限制。 6. **封装形式**: - TO252封装,适合表面安装在1"x1" FR4板上,提供小型化和高效散热解决方案。 该MOSFET的应用场景广泛,特别是在需要高效率、高耐压和高可靠性的场合,如电源转换器、电机驱动、开关电源等。为了保证设备的最佳性能,用户在实际应用中需参考产品数据表中的安全操作区(SOA曲线),了解不同电压等级下的电压降情况。IRFR120NTRPBF是一款值得信赖的高性能N沟道MOSFET,能满足各种工业级和商业级电子设备的需求。
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