2.5D/3D封装：引领集成电路产业变革，迈向高密度新时代

“集成电路封装：2.5D/3D封装技术是集成电路产业变革的重要驱动力，引领行业向高密度封装时代发展。这份由华金证券电子团队发布的深度报告详细探讨了先进封装技术如何打破集成电路发展的局限，提升集成度、性能和能效。报告特别提到了倒装、重新布线（RDL）、晶圆级封装（包括FI-WLP和FO-WLP）以及硅通孔（TSV）等关键技术，这些技术构成了先进封装的基础，对于2.5D和3D封装的应用至关重要。” 本文档是一份2023年9月21日由华金证券发布的电子行业深度研究报告，重点关注的是集成电路封装领域，特别是2.5D和3D封装技术。报告指出，随着技术的发展，集成电路封装已经不再局限于传统的封装方式，而是朝着高密度封装的方向迈进，以应对不断增长的集成度和性能需求。 1. **高密度封装**：先进封装技术通过更紧凑的设计和工艺，实现了芯片集成度的显著提升，降低了封装尺寸，同时提高了性能和能效。这包括将多个芯片堆叠在一起，减少空间需求，以及优化信号传输速度和降低功耗。 2. **倒装技术**：倒装芯片技术（Flip Chip）通过在I/O底板上沉积锡铅球，然后将芯片翻转与基板结合，替代传统的打线键合，提供更短的互连路径，提高信号传输速度和可靠性。 3. **重新布线（RDL）**：RDL允许改变IC线路接点位置，适应不同封装需求，通过晶圆级金属布线和凸块制程实现，增加了设计灵活性。 4. **晶圆级封装**：包括FI-WLP（扇入型晶圆级封装）和FO-WLP（扇出型晶圆级封装），前者适用于低I/O数量和小尺寸芯片，后者则可以通过扩展Bump实现比芯片更大的封装面积。 5. **硅通孔（TSV）**：在2.5D和3D封装中，TSV技术起到了关键作用，它提供了垂直互连，允许芯片之间的高效通信，显著提升集成度和性能。 这些技术的发展不仅推动了半导体行业的创新，还对电子产品的小型化、高速化和低能耗趋势产生了深远影响。报告强调，随着技术的持续进步，封装的I/O间距将进一步减小，重布层线宽间距也将变得更窄，预示着高密度封装时代的加速到来。 2.5D/3D封装作为集成电路封装的关键技术，正在引领行业变革，为未来的电子设备带来更高的性能、更低的能耗和更小的物理尺寸。这一领域的研究和创新将持续推动半导体行业的边界拓展。