优化多层陶瓷电容器选择：高性能EMI滤波的关键策略

本文主要探讨了如何通过合理选择多层陶瓷电容器来实现高性能的电磁干扰(EMI)滤波。文章关注的核心是电容器，特别是表面贴装和引脚两种类型的多层陶瓷电容器，它们在电路设计中的关键作用。电容器的性能不仅仅取决于其容量，更需考虑其阻抗和插入损耗等寄生参数，这些参数的控制对于EMI滤波效果至关重要。 在电容器的设计和应用中，阻抗和插入损耗是两个核心概念。电容器被视为一个双端口器件，可以通过将其视为一个阻抗或导纳模块来处理，这种并联连接的阻抗模块可以通过其ABCD参数来描述。通过计算ABCD参数和散射参数之间的关系，可以得出插入损耗S21的表达式，其中涉及阻抗幅度、传输线阻抗以及阻抗模块的相角。 文章强调，对于高性能陶瓷电容器，其相角在大部分频率范围内接近±90°，除了谐振点附近。这说明电容器在大部分频率区间内能有效地抑制电磁干扰，但在谐振点可能会导致信号衰减或反射，因此在设计时需要特别注意避免这些频率区域。 此外，文章还提到针对不同制造工艺，测试了电容器的引线电感和低频电感等寄生参数，并绘制了阻抗曲线，以便更好地理解和优化电容器的性能。这些测试技术和数据导出的等效电路模型对于工程师来说是不可或缺的工具，可以帮助他们选择最适合的电容器，确保电路板上电磁兼容性(EMC)的优良表现。 本文提供了深入理解电容器在EMI滤波中的作用以及如何通过精确测量和模型分析来优化选择和设计的重要知识，对于电子技术基础的学习者和实践者都具有很高的参考价值。