Microchip PIC16F193X/LF193X存储器编程指南：Ansoft与Workbench合作实现双向耦合

在本文档中，我们关注的是Microchip Technology Inc.的PIC16F1936/LF193X系列单片机，特别关注存储器编程的要求，以实现ANSOFT与Workbench协同仿真的双向耦合。该芯片采用nanoWatt XLP技术，具备28/40/44引脚的8位CMOS闪存功能，并配有一个LCD驱动器。 1. **存储器编程规范**： - 对于程序存储器（EEPROM），编程规范涉及MCLR/VPP/RE3引脚的电压要求，范围在8.0V到9.0V（需注意MPLAB ICD 2 的限制）；编程期间供电电流IDDP最大为10mA。 - 批量擦除时，VDD电压需在2.7V至VDD范围内。 - VPEW是写入或行擦除时所需的VDD电压，既有最小值又有个体差异。 - 擦写期间，MCLR/VPP和VDD上的电流分别有最大值，如IPPPGM为1.0mA，IDDPGM为5.0mA。 2. **EEPROM和闪存编程参数**： - 数据EEPROM的特点包括字节耐用性在-40°C至+85°C的范围内，以及刷新周期TREF限制。 - 闪存程序存储器的电池耐用性EP，以及VPR用于读取操作的电压范围。 - 写入周期TIW和特性保持时间TRETD对于自定时写入和长期稳定性有规定。 3. **注意事项**： - 参数值通常是在3.0V、25°C条件下给出的典型值，实际设计应考虑温度和电压的影响，并进行测试。 - 对于EEPROM耐用性的详细讨论，请参考第11.2节“使用数据EEPROM”部分。 - 在使用MPLAB ICD 2 编程时，外部电路应防止VPP电压的变化。 4. **责任声明**： - 文档提供中文版仅为方便理解，但英文部分包含产品性能和使用的重要信息，建议参考英文原版。 - Microchip Technology Inc.不对翻译错误负责，且提供的信息仅供参考，用户需自行确保应用符合技术规范，不提供任何形式的性能担保，对于生命维持和生命安全应用，用户自行承担全部风险。 综上，本文档详述了在Microchip PIC16F1936/LF193X单片机上进行存储器编程的详细步骤和技术参数，以及与ANSOFT和Workbench协同仿真的配合方法，旨在帮助开发者理解和遵循正确的编程实践，确保产品的可靠性和性能。