FDS4935BZ-NL&38-VB：双P沟道SOP8 MOSFET技术规格

"FDS4935BZ-NL&38-VB是一种双P沟道30V(S-D)MOSFET，采用SOP8封装，具有无卤素、TrenchFET功率MOSFET技术，并且100%通过UIS测试。适用于负载开关等应用。" 该器件的主要特性包括： 1. **双P沟道MOSFET**：FDS4935BZ-NL&38-VB拥有两个P沟道MOSFET，这意味着它可以在低电压下提供高电流控制，常用于电源开关或逻辑控制。 2. **30V额定电压**（VDS）：器件能够承受的最大源漏电压为30V，保证了在正常工作条件下的稳定性。 3. **低RDS(on)**：在特定条件下，如VGS=-10V时，RDS(on)为0.029Ω，这表示在导通状态下器件的内阻非常低，能提供高效的能量传输。 4. **TrenchFET技术**：这是一种先进的制造工艺，通过使用沟槽结构减小了MOSFET的体积，降低了导通电阻，提高了开关性能。 5. **无卤素**：符合环保标准，适合绿色电子产品设计。 6. **UIS测试**：100%通过了雪崩击穿耐受测试（Under Voltage Instability Shutdown），确保了器件在过电压情况下的安全性。 应用场景主要为： 1. **负载开关**：由于其低RDS(on)和良好的控制特性，FDS4935BZ-NL&38-VB适合用作电源管理中的负载开关，可以有效地控制电流流动。 产品参数总结如下： - **最大连续漏极电流（ID）**：在不同温度下，器件的最大连续漏极电流有所不同，例如，在TJ=150°C时为-7.3A，在TJ=70°C时为-5.9A。 - **脉冲漏极电流（DM）**：器件能承受的脉冲漏极电流，具体值取决于温度和其他条件。 - **源漏二极管电流（IS）**：器件内置的体二极管允许的连续电流，同样受温度影响。 - **雪崩电流（IAS）**和单脉冲雪崩能量（EAS）：提供了器件在安全操作区内的抗雪崩能力。 - **最大功率耗散（PD）**：器件在不同温度下的最大允许功耗，25°C时为5.0W，70°C时为1.6W。 - **结温范围（TJ, Tstg）**：器件工作和存储的温度范围为-55到150°C。 热特性方面： - **热阻抗**（θJA, θJC）：这些参数决定了器件在特定条件下的散热效率，对选择合适的散热方案至关重要。 FDS4935BZ-NL&38-VB是一款高性能的双P沟道MOSFET，适用于需要高效能和低损耗的电源管理场景，尤其在负载开关应用中表现出色。其独特的TrenchFET技术、低RDS(on)和环保特性使其成为现代电子设计的理想选择。