FDS4935BZ-NL&19-VB:双P沟道30V MOSFET技术规格
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更新于2024-08-03
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“FDS4935BZ-NL&19-VB是一种双P沟道30V(D-S)MOSFET,采用SOP8封装,适用于笔记本电脑、台式机和游戏站的负载开关应用。该器件具有无卤素、TrenchFET功率MOSFET技术以及100%UIS测试的特点。”
FDS4935BZ-NL&19-VB是一款高性能的双P沟道金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET),主要用于电源管理中的负载切换功能。这款MOSFET适用于多种电子设备,包括笔记本电脑、台式个人计算机和游戏主机,确保在这些设备中实现高效能和低损耗的电源控制。
该器件的关键特性包括:
1. 无卤素:这意味着它不含有卤素元素,符合环保要求,有助于降低产品对环境的影响。
2. TrenchFET®技术:这是一种先进的沟槽结构MOSFET技术,通过在硅片上形成深沟槽来减小导通电阻,从而提高效率和降低功耗。
3. 100% UIS测试:UIS代表雪崩击穿耐受能力,经过这种测试的MOSFET能够承受过电压情况,增强了其安全性与可靠性。
产品规格摘要如下:
- 最大Drain-Source电压(VDS):-30V,表明该MOSFET可以承受的最大电压差。
- 在特定条件下,连续Drain电流(ID)的典型值为-8.3A,这取决于温度,例如在25°C时,ID可达-8.3A,而70°C时则降至-7.9A。
- Gate-Source电压(VGS)的极限值为±20V,这是控制MOSFET开关状态的电压。
- 在25°C时,连续Source-Drain二极管电流(IS)的典型值为-2.0A,同样随温度变化。
- 短脉冲Drain电流(IDM)的最大值为-32A,用于瞬态高电流需求。
- Avalanche电流(IAS)限制在-20A,表示器件在雪崩条件下可承受的最大电流。
- 单脉冲Avalanche能量(EAS)为20mJ,指设备在雪崩事件中能安全承受的最大能量。
- 最大功率耗散(PD)在不同温度下有所不同,25°C时为5.0W,70°C时为1.6W。
- 操作和存储的结温范围(TJ, Tstg)为-55°C到150°C,确保了宽广的工作环境适应性。
此外,还提供了热特性参数,如最大结壳热阻(RθJC)和最大壳板热阻(RθJB),这些参数对于评估器件在工作时如何散热至关重要。通过这些详细的技术指标,设计者可以确定FDS4935BZ-NL&19-VB是否适合他们的应用,并能准确地预测其在实际电路中的性能和稳定性。
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