FDS4935BZ-NL&19-VB：双P沟道30V MOSFET技术规格

“FDS4935BZ-NL&19-VB是一种双P沟道30V（D-S）MOSFET，采用SOP8封装，适用于笔记本电脑、台式机和游戏站的负载开关应用。该器件具有无卤素、TrenchFET功率MOSFET技术以及100%UIS测试的特点。” FDS4935BZ-NL&19-VB是一款高性能的双P沟道金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET），主要用于电源管理中的负载切换功能。这款MOSFET适用于多种电子设备，包括笔记本电脑、台式个人计算机和游戏主机，确保在这些设备中实现高效能和低损耗的电源控制。 该器件的关键特性包括： 1. 无卤素：这意味着它不含有卤素元素，符合环保要求，有助于降低产品对环境的影响。 2. TrenchFET®技术：这是一种先进的沟槽结构MOSFET技术，通过在硅片上形成深沟槽来减小导通电阻，从而提高效率和降低功耗。 3. 100% UIS测试：UIS代表雪崩击穿耐受能力，经过这种测试的MOSFET能够承受过电压情况，增强了其安全性与可靠性。 产品规格摘要如下： - 最大Drain-Source电压（VDS）：-30V，表明该MOSFET可以承受的最大电压差。 - 在特定条件下，连续Drain电流（ID）的典型值为-8.3A，这取决于温度，例如在25°C时，ID可达-8.3A，而70°C时则降至-7.9A。 - Gate-Source电压（VGS）的极限值为±20V，这是控制MOSFET开关状态的电压。 - 在25°C时，连续Source-Drain二极管电流（IS）的典型值为-2.0A，同样随温度变化。 - 短脉冲Drain电流（IDM）的最大值为-32A，用于瞬态高电流需求。 - Avalanche电流（IAS）限制在-20A，表示器件在雪崩条件下可承受的最大电流。 - 单脉冲Avalanche能量（EAS）为20mJ，指设备在雪崩事件中能安全承受的最大能量。 - 最大功率耗散（PD）在不同温度下有所不同，25°C时为5.0W，70°C时为1.6W。 - 操作和存储的结温范围（TJ, Tstg）为-55°C到150°C，确保了宽广的工作环境适应性。 此外，还提供了热特性参数，如最大结壳热阻（RθJC）和最大壳板热阻（RθJB），这些参数对于评估器件在工作时如何散热至关重要。通过这些详细的技术指标，设计者可以确定FDS4935BZ-NL&19-VB是否适合他们的应用，并能准确地预测其在实际电路中的性能和稳定性。