东芝TC58NVG5T2FTA00：32GB位NAND E2PROM详细规格

"TC58NVG5T2FTA00 - 一款32GBit的Triple-Level-Cell NAND闪存芯片，适用于高密度非易失性存储应用" TOSHIBA的TC58NVG5T2FTA00是一款3.3伏特的32千兆比特（40,706,703,360位）NAND型电可擦除可编程只读存储器（NAND E2PROM），组织结构为（8192+1024）字节×258页×2140块。这款芯片采用了先进的Triple-Level-Cell（TLC）技术，允许在单个单元内存储更多的数据，从而显著提高了存储密度。 该设备内置两个9216字节的静态寄存器，它们用于在寄存器和内存单元阵列之间以9216字节的增量传输编程和读取数据。它的擦除操作是以单个块单位进行的，每个块包含2064千字节（9216字节×258页）加上258千字节的数据。这样的设计使得擦除操作更为高效且易于管理。 TC58NVG5T2FTA00是一款串行类型的内存设备，其I/O引脚既用于地址和数据输入/输出，也用于命令输入。自动执行的擦除和编程操作简化了操作流程，使其特别适合用于固态文件存储、语音记录、静态相机的图像文件存储以及其他需要高密度非易失性存储数据的应用。 该芯片的主要特点包括： 1. 组织结构：TC58NVG5T2FTA00，采用TLC技术，提供更高的存储容量。 2. 高密度存储：32GBit的存储空间，适合大容量数据存储需求。 3. 双静态寄存器：支持9216字节的数据传输，提高读写效率。 4. 自动化操作：自动执行擦除和编程操作，简化系统集成。 5. 串行接口：I/O引脚多功能，节省硬件资源。 6. 非易失性：即使在断电情况下也能保持数据完整性，确保数据安全。 此款NAND闪存芯片广泛应用于需要大量存储空间且对数据持久性有严格要求的场合，如嵌入式系统、移动设备、数字媒体设备等。其高效能和高密度特性使得它成为现代电子设备中不可或缺的一部分。