"DDR4_CXDQ3A8AM-IJ-A (1).docx"
本文档详细介绍了CXDQ3A8AM-IJ-A，这是一款由长信存储技术公司制造的8Gb DDR4 SDRAM芯片。DDR4内存是第四代双倍速率同步动态随机存取内存，相较于其前代DDR3，它提供了更高的数据传输速度和更低的功耗。该芯片设计符合JEDEC（Joint Electron Device Engineering Council）的工业标准，确保了与各种平台的兼容性。
文档中提及的重要规格包括：
1. **电源电压**：芯片工作所需的电压，VDD 和 VDDQ 均为1.2V（1.14V~1.26V），VPP为2.5V（2.375V~2.75V）。这些电压范围确保了稳定的工作条件，并有助于降低功耗。
2. **封装形式**：采用x8 78球FBGA（Fine Pitch Ball Grid Array）封装，这种封装技术提供高密度和小尺寸，适合高性能计算和服务器应用。
3. **阵列配置**：16个银行（每个8位），分为4组，每组4个银行，这种结构增强了内存的并发处理能力。
4. **8n预取架构**：DDR4内存采用8n预取技术，意味着数据以8位为单位读取，提高了数据传输效率。
5. **突发长度**：支持8和4突发斩（BC），BC表示数据传输的连续字节数，更大的突发长度可以提升连续数据传输的效率。
6. **可编程CAS延迟（CL）**和**CAS写延迟（CWL）**：用户可以根据系统需求设置CAS（列地址选择）延迟和写延迟，以优化性能和稳定性。
7. **内部Vref生成**：数据输入使用内部生成的参考电压，保证了信号质量。
8. **模上终止（ODT）**：支持模块上的终结电阻，可以调整以优化信号完整性和系统性能。
此外，文档还强调了一些重要声明，如信息的非官方性质，可能会有更改且无需通知，以及CXMT对产品适销性和适用性的明确否认。同时，用户需注意保密义务，不得泄露有关CXMT的信息，且CXMT不对因使用该信息造成的任何损害负责。
最后，虽然没有列出具体的修订历史，但通常这类文档会有定期更新以反映产品的改进和技术变化。总体而言，CXDQ3A8AM-IJ-A是一款面向高性能计算环境的先进DDR4内存芯片，其设计考虑了功耗、性能和系统的可配置性。
