FDG6303N-VB: 20V双N沟道SOT-363/SC-70封装MOSFET特性与应用

FDG6303N-VB是一种高性能的双N沟道SC70-6封装功率MOSFET，由Trench FET®技术制成。这款MOSFET特别注重环保，符合IEC 61249-2-21标准，无卤素。它具有以下关键特性： 1. **电压规格**：该MOSFET的最大 Drain-Source (VDS) 电压可达20V，确保了在各种应用中的稳健性能。同时，Gate-Source (VGS) 电压范围为±12V，提供了宽广的工作条件。 2. **电流能力**：在典型条件下，当VGS为4.5V时，Drain Current (ID) 达到2.6A；而在不同温度下，如TJ=150°C时，连续工作电流有所下降。Pulsed Drain Current (IDM) 的限制为8A，适合于短时间脉冲操作。 3. **ESD保护**：设备具有2100V的HBM典型ESD防护等级，能有效保护电路免受静电冲击。 4. **环境合规性**：符合RoHS指令2002/95/EC，保证了对环境的低有害物质排放。 5. **热管理**：最大集电极-源极功耗在不同温度下有所限制，例如，在25°C时，持续功耗PD为2.70W，而在70°C时会相应降低。 6. **封装形式**：FDG6303N-VB采用紧凑的SOT-363封装，以及SC-70封装，适合于小型化和表面安装设计，特别适合便携式应用。 7. **应用领域**：适用于负载开关等便携式设备中的电源管理或开关功能，但需要注意其包装限制、表面安装需求（1"x1" FR4板）以及散热要求（例如，5秒脉冲下的热时间常数t=5s）。 在选择和使用这款MOSFET时，务必参考其绝对最大额定值，包括Drain-Source Voltage、Temperature Ratings（如TJ=150°C时的电流限制）和存储温度，以确保组件在极限工作条件下仍能保持可靠性和寿命。FDG6303N-VB是设计高效、低功耗电子电路的理想选择，尤其在对小型化、安全性和可靠性有较高要求的应用中。