FDG6303N-VB: 20V双N沟道SOT-363/SC-70封装MOSFET特性与应用
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更新于2024-08-03
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FDG6303N-VB是一种高性能的双N沟道SC70-6封装功率MOSFET,由Trench FET®技术制成。这款MOSFET特别注重环保,符合IEC 61249-2-21标准,无卤素。它具有以下关键特性:
1. **电压规格**:该MOSFET的最大 Drain-Source (VDS) 电压可达20V,确保了在各种应用中的稳健性能。同时,Gate-Source (VGS) 电压范围为±12V,提供了宽广的工作条件。
2. **电流能力**:在典型条件下,当VGS为4.5V时,Drain Current (ID) 达到2.6A;而在不同温度下,如TJ=150°C时,连续工作电流有所下降。Pulsed Drain Current (IDM) 的限制为8A,适合于短时间脉冲操作。
3. **ESD保护**:设备具有2100V的HBM典型ESD防护等级,能有效保护电路免受静电冲击。
4. **环境合规性**:符合RoHS指令2002/95/EC,保证了对环境的低有害物质排放。
5. **热管理**:最大集电极-源极功耗在不同温度下有所限制,例如,在25°C时,持续功耗PD为2.70W,而在70°C时会相应降低。
6. **封装形式**:FDG6303N-VB采用紧凑的SOT-363封装,以及SC-70封装,适合于小型化和表面安装设计,特别适合便携式应用。
7. **应用领域**:适用于负载开关等便携式设备中的电源管理或开关功能,但需要注意其包装限制、表面安装需求(1"x1" FR4板)以及散热要求(例如,5秒脉冲下的热时间常数t=5s)。
在选择和使用这款MOSFET时,务必参考其绝对最大额定值,包括Drain-Source Voltage、Temperature Ratings(如TJ=150°C时的电流限制)和存储温度,以确保组件在极限工作条件下仍能保持可靠性和寿命。FDG6303N-VB是设计高效、低功耗电子电路的理想选择,尤其在对小型化、安全性和可靠性有较高要求的应用中。
2023-12-28 上传
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