FDG1024NZ-VB:SC70-6封装20V MOSFET性能详解与应用指南
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更新于2024-08-03
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本文档详细解析了FDG1024NZ-VB型号的SC70-6封装的双N沟道20V电压等级的MOSFET器件。这款MOSFET采用Trench FET技术,具有环保特性,符合IEC 61249-2-21标准,并且通过了RoHS指令2002/95/EC的要求。其主要特点包括:
1. **特性:**
- **无卤素材料**:符合IEC 61249-2-21标准,对环境友好。
- **Trench FET结构**:利用深槽工艺,提高开关效率和热性能。
- **高可靠性测试**:100% Rg测试,确保长期稳定工作。
- **ESD保护**:典型ESD保护等级达到2100V HBM,防止静电干扰。
- **环境合规**:符合RoHS指令,关注电子废物管理。
2. **应用场景:**
- **便携式设备负载开关**:适用于小型电子设备中的电源管理和功率切换。
3. **规格参数:**
- **最大导通阻抗(RDS(on))**:
- 4.5V下的典型值:150mΩ
- 2.5V下的典型值:170mΩ
- 1.8V下的典型值:0.180Ω
- **漏源电流(ID)**:
- 在25°C时,连续工作电流(2.3A或2.6A)及脉冲工作电流(8A)
- **集电极-源极电压(VDS)**:20V
- **栅极-源极电压(VGS)**:±12V
- **热阻抗(RθJA)**:最大220°C/W,在稳定状态下限制发热
4. **绝对最大额定值:**
- 针对不同工作条件下的电流、功率消耗和温度限制进行了详细说明,如在70°C时的降额操作。
5. **封装类型与尺寸**:采用SOT-363和SC-70封装,适合表面安装在1"x1" FR4板上。
总结来说,FDG1024NZ-VB是一款高性能、低导通电阻的MOSFET,适用于对电流、电压和热管理有较高要求的便携式设备中,其设计注重环保,具有良好的ESD防护和可靠性。在实际应用时,必须注意其操作条件和安全极限,确保器件能在规定范围内稳定运行。
2023-10-10 上传
2023-12-28 上传
2023-10-20 上传
2023-12-20 上传
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