模拟电子技术基础-童诗白第四版习题与解答

"模拟电路-童诗白第四版习题配套答案.pdf" 本文主要涵盖了模拟电子技术基础，特别是针对童诗白第四版教材中的习题解答。内容涉及到半导体器件的基本概念，包括N型和P型半导体的转换，PN结的工作原理，晶体管的放大状态，以及场效应管的操作特性。 1. **半导体器件** - N型半导体通过掺杂三价元素（如硼）可以转变为P型半导体，因为这样会在半导体中引入多数载流子为空穴。 - N型半导体并不带负电，其多子是自由电子，但整体呈电中性。 - PN结在没有光照和外加电压时，由于扩散和漂移达到动态平衡，结电流接近于零。 - 晶体管在放大状态下，集电极电流主要由基极控制，而非多子漂移运动直接形成。 - 结型场效应管的栅-源电压需使耗尽层承受反向电压，以保持高输入电阻的特性。 2. **选择题解析** - PN结加正向电压时，空间电荷区变窄，利于电流通过。 - 稳压管在反向击穿状态下工作，以实现电压稳定。 - 当晶体管工作在放大区时，发射结通常正偏，集电结反偏。 - 耗尽型N沟道MOS管和结型场效应管在UGS=0V时可能工作在恒流区，而增强型MOS管则需要栅-源电压来开启。 3. **计算题解析** - 图T1.3展示了二极管在不同电路配置下的输出电压，考虑二极管导通电压UD=0.7V进行计算。 - 图T1.4中，左侧电路的稳压管处于击穿状态，UO1=6V；右侧电路中稳压管未击穿，UO2=5V。 - 图T1.5的电路分析涉及到基本共射放大电路的计算，其中Rb决定了基极电流和输出电压Uo。 4. **问题解答** - 当Rb=50kΩ时，通过计算得出Uo约为2.6V。 - 若晶体管T处于临界饱和状态，需要满足Ube=2.86V，计算得出Rb约为45.5kΩ。 这些习题解答涵盖了半导体器件的基本性质，晶体管和场效应管的工作状态，以及实际电路中的电压和电流计算，对理解和掌握模拟电路的基本概念和技术具有重要作用。通过这些习题，学习者可以深化对半导体物理、PN结、晶体管和场效应管工作原理的理解，并提高分析和解决实际电路问题的能力。