磁电存储：50MHz高速读写，无限寿命

磁电存储（Magnetic Resistor RAM, MRAM）是一种新型非易失性存储技术，其特点在于实现无限次读写能力，这对于需要频繁数据访问和快速响应的应用场景具有显著优势。Everspin Technologies的MR20H40/MR25H40产品系列是这一技术的具体体现，其主要特性包括： 1. 高速读写性能：通过SPI（Serial Peripheral Interface）接口，MR20H40型号的最大读写速度可达50MHz，这意味着在数据传输方面具有出色的效率，能够满足对速度敏感的实时应用需求。 2. 无延迟写入：与传统的存储器件相比，MR2xH40系列具有无写入延迟的设计，使得数据写入几乎瞬间完成，无需等待，提高了系统响应时间。 3. 无限写耐久性：这些设备支持无限次数的读写操作，非常适合那些对数据持久性和可靠性有极高要求的应用，如工业控制、嵌入式系统等。 4. 数据保持时间长：数据在断电后也能保持至少20年以上，这意味着即使在电源中断的情况下，存储的数据也能得到保护，减少了数据丢失的风险。 5. 自动数据保护：当电源供应出现问题时，内置的自动数据保护机制会确保数据的安全，无需额外的外部电路来实现。 6. 简单易用的SPI接口：设计精简，用户可以轻松上手，支持高达50MHz的时钟速率，对于开发者来说，减少了编程复杂度和时间成本。 7. 宽温范围：产品适用于工业(-40 to 85°C)、扩展(-40 to 105°C)和最严格的AEC-Q100 Grade 1(-40 to 125°C)温度环境，保证了设备在极端条件下的稳定运行。 8. 小巧封装：提供8-pin DFN或8-pin DFNSmall Flag、RoHS兼容的封装，方便集成到各种尺寸的电路板上。 9. 替代传统存储：作为串行EEPROM、闪存和FeRAM的直接替代品，MR2xH40系列可以无缝替换现有的存储解决方案，降低更换成本。 10. MSL Level 3：符合国际存储寿命标准，确保长期稳定的数据存储性能。 磁电存储技术的MR20H40/MR25H40产品系列凭借其高速、低延迟、无限耐用性及广泛的温度兼容性，正在逐步改变对小型、高性能存储的需求格局，为现代电子系统提供了高效且可靠的存储解决方案。