P沟道20V TrenchFET MOSFET参数与应用

"SM3J36FS是一款由VBsemi公司生产的P沟道MOSFET，其主要特点是采用了TrenchFET技术，具有快速切换速度和100%的R测试保证。这款器件适用于便携式设备的负载/电源开关、继电器驱动、电磁铁驱动以及显示设备等应用。" SM3J36FS是一款P沟道金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET），额定 Drain-Source 电压（VDS）为-20V，这意味着它可以在最大20V的电压下正常工作。在不同栅源电压（VGS）下，其漏源导通电阻（RDS(on)）有所不同：在VGS = -4.5V时，RDS(on)为450mΩ；在VGS = -2.5V时，RDS(on)为500mΩ；而在VGS = -1.8V时，RDS(on)降低至380mΩ。较低的RDS(on)意味着在导通状态下，器件的内阻较小，能提供更低的导通损耗。 该MOSFET的最大连续漏源电流（ID）在环境温度为25°C时为-0.55A，在70°C时为-0.45A。此外，脉冲漏源电流（IDM）可达到-1.8A，而连续源漏二极管电流（IS）在25°C时为-0.16A。最大功率耗散（PD）在25°C时为0.19W，70°C时为0.12W。 绝对最大额定值还包括门极-源极电压（VGS）为±12V，这限制了栅极电压的范围，以防止器件损坏。此外，操作结点和存储温度范围为-55°C到+150°C，确保了在宽温范围内器件的稳定工作。 热特性方面，MOSFET的典型和最大结-壳热阻（RthJA）分别为440°C/W和530°C/W，这是在t≤5s的条件下。在稳态下，这个数值上升到540°C/W和650°C/W。这些数值表明了在不同条件下器件的散热能力，对于应用在高功率密度系统中的设计者来说非常重要。 SM3J36FS MOSFET因其低RDS(on)，快速切换和良好的热性能，特别适合于需要高效能和小尺寸的便携式设备和电池供电系统，如手机、平板电脑、电池驱动的工具或汽车电子设备等。