SOT23封装SM2300NSAC-TRG-VB: N沟道20V高效率MOSFET详解
本文档主要介绍了SM2300NSAC-TRG-VB一款高性能的N沟道SOT23封装MOSFET,该器件采用先进的Trench FET®技术,具有低导通电阻(RDS(ON))和高耐压特性。以下是从标题和描述中提炼出的关键知识点: 1. **产品概述**: - SM2300NSAC-TRG-VB是一款针对直流/直流转换器和便携式设备负载开关应用设计的MOSFET。 - 它是无卤素符合IEC 61249-2-21标准的产品,且通过了RoHS指令2002/95/EC的要求。 2. **电气特性**: - N沟道,工作在20V的 Drain-Source (D-S)电压下,支持连续电流ID高达6A。 - RDS(ON)值在不同栅极电压(VGS)下表现优异,如在4.5V时为24mΩ,2.5V时为33mΩ。 - 提供了不同栅极电压下的阈值电压(Vth),例如在1.8V时为0.050V。 3. **封装与尺寸**: - 采用紧凑的SOT-23封装,适合表面安装,占用1"x1" FR4板空间。 4. **温度参数**: - 在正常工作条件下,允许的最大结温(TJ)和储存温度范围为-55°C至150°C。 - 功率处理能力随温度变化,比如在25°C时,最大功率损耗(PD)为2.1W,而在70°C下有所降低。 5. **安全限制**: - 长期和脉冲下的电流限制(IDM和IS)、散热建议以及在不同温度条件下的性能规格均有明确说明。 6. **测试与认证**: - 产品经过100% Rg测试,确保其可靠性。 - 在指定的温度和持续时间(例如5秒)下运行,以保证设备的稳定性。 7. **注意事项**: - 包装限制,可能需要在特定条件下使用。 - 推荐的峰值温度在进行焊接操作时需遵循。 综上,SM2300NSAC-TRG-VB是一款适用于各种低功耗和高效能电路的N沟道MOSFET,其特性表现在高耐压、低阻抗和紧凑的封装形式,为电子设计者提供了灵活的选择,尤其适用于那些对功率密度和散热效率有较高要求的应用场景。
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