SOT23封装SM2300NSAC-TRG-VB: N沟道20V高效率MOSFET详解

本文档主要介绍了SM2300NSAC-TRG-VB一款高性能的N沟道SOT23封装MOSFET，该器件采用先进的Trench FET®技术，具有低导通电阻（RDS(ON)）和高耐压特性。以下是从标题和描述中提炼出的关键知识点： 1. **产品概述**： - SM2300NSAC-TRG-VB是一款针对直流/直流转换器和便携式设备负载开关应用设计的MOSFET。 - 它是无卤素符合IEC 61249-2-21标准的产品，且通过了RoHS指令2002/95/EC的要求。 2. **电气特性**： - N沟道，工作在20V的 Drain-Source (D-S)电压下，支持连续电流ID高达6A。 - RDS(ON)值在不同栅极电压（VGS）下表现优异，如在4.5V时为24mΩ，2.5V时为33mΩ。 - 提供了不同栅极电压下的阈值电压（Vth），例如在1.8V时为0.050V。 3. **封装与尺寸**： - 采用紧凑的SOT-23封装，适合表面安装，占用1"x1" FR4板空间。 4. **温度参数**： - 在正常工作条件下，允许的最大结温（TJ）和储存温度范围为-55°C至150°C。 - 功率处理能力随温度变化，比如在25°C时，最大功率损耗（PD）为2.1W，而在70°C下有所降低。 5. **安全限制**： - 长期和脉冲下的电流限制（IDM和IS）、散热建议以及在不同温度条件下的性能规格均有明确说明。 6. **测试与认证**： - 产品经过100% Rg测试，确保其可靠性。 - 在指定的温度和持续时间（例如5秒）下运行，以保证设备的稳定性。 7. **注意事项**： - 包装限制，可能需要在特定条件下使用。 - 推荐的峰值温度在进行焊接操作时需遵循。 综上，SM2300NSAC-TRG-VB是一款适用于各种低功耗和高效能电路的N沟道MOSFET，其特性表现在高耐压、低阻抗和紧凑的封装形式，为电子设计者提供了灵活的选择，尤其适用于那些对功率密度和散热效率有较高要求的应用场景。